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中國(guó)電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

上海光機(jī)所在特殊波長(zhǎng)的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進(jìn)展

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)印發(fā)《2023年全國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》加強(qiáng)新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動(dòng)低功耗頻率綜合器芯片

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

從基礎(chǔ)到應(yīng)用碳化硅晶體研制獲突破

重大突破 | 國(guó)內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級(jí)聯(lián)905nm VCSEL

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所“深紫外激光光致發(fā)光光譜儀”入選中國(guó)科學(xué)院自主研制科學(xué)儀器名錄

智新半導(dǎo)體已研制出基于第3代半導(dǎo)體碳化硅的功率模塊

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

郝躍院士團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院成功研制新原理機(jī)器視覺增強(qiáng)芯片

中電科45所研制的雙8英寸全線自動(dòng)化濕法整線設(shè)備進(jìn)入國(guó)內(nèi)主流產(chǎn)線

我國(guó)自主研制深紫外LED器件助力疫情防控

大功率芯片研制獲突破

全面自主研發(fā)和量產(chǎn)！中機(jī)新材在精密研磨拋材料研制方面獲多項(xiàng)技術(shù)突破

清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首款實(shí)時(shí)超光譜成像芯片

廣東光大科研制造中心項(xiàng)目開工，一期投資100億元

中科院半導(dǎo)體所趙德剛團(tuán)隊(duì)研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

中科院物理所陸凌團(tuán)隊(duì)研制出了性能指標(biāo)具佳的拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器

中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院成功研制BGA芯片外觀檢測(cè)設(shè)備

工信部：2022年汽車標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn) 加快新興領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

長(zhǎng)光所在量子陀螺專用垂直腔面發(fā)射激光器研制和應(yīng)用方面取得進(jìn)展

?電科材料成功研制出8英寸碳化硅晶體實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)！

中電科二所研制出山西首片碳化硅芯片

中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

【CASICON 2021】云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家惠峰：VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用

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