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臺積電介紹N3P制程2024年量產(chǎn)，2納米2025年量產(chǎn)

中國電科實現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋

又一突破！電科裝備已實現(xiàn)離子注入裝備28納米工藝制程全覆蓋

臺積2納米試產(chǎn) 有動作了

中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所所長、歐洲科學(xué)院院士王中林：第三代半導(dǎo)體的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)最新進(jìn)展

南科大化夢媛團(tuán)隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

國內(nèi)首款7納米車規(guī)級SoC芯片“龍鷹一號”正式量產(chǎn)

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究團(tuán)隊揭示鉿基鐵電納米器件機(jī)理

臺媒：蘋果自研5G基帶芯片將采用臺積電3納米制程

南科大電子系化夢媛團(tuán)隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

三星：3納米制程代工市場2026年將達(dá)242億美元規(guī)模

日本半導(dǎo)體公司推進(jìn)2納米半導(dǎo)體生產(chǎn)

日本半導(dǎo)體公司Rapidus推進(jìn)2納米半導(dǎo)體生產(chǎn)

安泰科技超薄納米晶材料進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體行業(yè)

長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”

蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院、中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”揭牌成立

半導(dǎo)體納米新材料技術(shù)服務(wù)商撲浪量子獲東方嘉富領(lǐng)投Pre-A輪投資

晶圓代工大廠公布五年發(fā)展規(guī)劃，1.4納米芯片量產(chǎn)時間敲定

蘇州納米所梁偉等在高重復(fù)頻率窄線寬外腔激光器領(lǐng)域取得進(jìn)展

關(guān)于第十三屆中國國際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會延期舉辦的通知

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長集成

基于微結(jié)構(gòu)納米復(fù)合薄膜的超靈敏柔性壓力傳感器

國家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究團(tuán)隊首次測定超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-砷化硼的載流子遷移率

在納米圖案化藍(lán)寶石襯底（NPSS）上實現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

中科院上海高研院征才，發(fā)力7納米以下節(jié)點(diǎn)先進(jìn)集成電路研發(fā)

臺積電公布最新技術(shù)路線圖：2025年量產(chǎn)2納米技術(shù)

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