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東部高科將建設(shè)8英寸碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)線

業(yè)內(nèi)領(lǐng)先！科友半導(dǎo)體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

韓國(guó)8英寸SiC單晶爐實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化！

立昂微擬募資 33.9億元用于12英寸半導(dǎo)體硅外延片等項(xiàng)目

立昂微：投資23億元加碼12英寸半導(dǎo)體硅外延片項(xiàng)目！

SEMI：8英寸廠設(shè)備支出仍將達(dá)到49億美元

浙江廣芯微電子6英寸高端特色硅基晶圓代工項(xiàng)目封頂

振華科技將建6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線

浙江省首條12英寸晶圓生產(chǎn)線，杭州富芯電子廠房首臺(tái)設(shè)備成功搬入

盛合晶微12英寸中段硅片和3D芯片集成加工J2B項(xiàng)目開(kāi)工

德州儀器全新 12 英寸半導(dǎo)體晶圓制造基地正式破土動(dòng)工

民德電子擬斥2.4億元購(gòu)買6英寸晶圓代工生產(chǎn)線設(shè)備

半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商IQE開(kāi)發(fā)出全球首批8英寸VCSEL外延片

滬硅產(chǎn)業(yè)擬在芬蘭建8英寸半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目，年產(chǎn)能超300萬(wàn)片

聯(lián)電搶攻8英寸第三代半導(dǎo)體，新機(jī)臺(tái)預(yù)計(jì)下半年進(jìn)駐廠區(qū)

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

聯(lián)電大舉購(gòu)置新機(jī)臺(tái)擴(kuò)產(chǎn)，瞄準(zhǔn)8英寸晶圓第三代半導(dǎo)體制造領(lǐng)域

聯(lián)電大舉購(gòu)置新機(jī)臺(tái)擴(kuò)產(chǎn)，瞄準(zhǔn) 8 英寸晶圓生產(chǎn)

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

國(guó)際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

聯(lián)電瞄準(zhǔn)高成長(zhǎng)性市場(chǎng)，投資約1000億新臺(tái)幣擴(kuò)建12英寸廠產(chǎn)能

晶盛機(jī)電2021年凈利17.12億，已建6英寸碳化硅研發(fā)實(shí)驗(yàn)線

中科院物理所在8英寸碳化硅單晶研究取得新進(jìn)展

捷捷微電：總投資5.1億元功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測(cè)生產(chǎn)線項(xiàng)目已開(kāi)工計(jì)劃明年建設(shè)完成

中欣晶圓年產(chǎn)240萬(wàn)片12英寸外延片項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年年底前試生產(chǎn)

總投資近3000億？傳世界先進(jìn)擬建首座12英寸

深圳市政府工作報(bào)告：2022 年建成投產(chǎn)中芯國(guó)際12英寸線

全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線計(jì)劃今年動(dòng)工，預(yù)計(jì)2025年竣工并投產(chǎn)

核心部件全部國(guó)產(chǎn)！季華實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā)6英寸SiC高溫外延裝備獲突破性進(jìn)展

2780億元，力積電新12英寸晶圓廠建成

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