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標(biāo)準(zhǔn)/山東大學(xué)牽頭起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)

復(fù)旦大學(xué)牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》征求意見(jiàn)

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

深圳先進(jìn)連接牽頭起草的T/CASAS 023—202X《寬禁帶半導(dǎo)體封裝用燒結(jié)銀膏技術(shù)規(guī)范》征求意見(jiàn)

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會(huì)草案

復(fù)旦大學(xué)牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》征求意見(jiàn)

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

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國(guó)星光電參與兩項(xiàng)碳化硅團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)起草，SiC產(chǎn)品線進(jìn)一步擴(kuò)展

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