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1萬(wàn)伏！我國(guó)實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破

CASICON晶體大會(huì)前瞻|北京化工大學(xué)張紀(jì)才:（11-22）AlN材料的HVPE生長(zhǎng)及其二極管制備研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

北京大學(xué)教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)研究

IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體

IFWS 2023│高通量方法輔助篩選和預(yù)測(cè)半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例

CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光電副總經(jīng)理梁超博士：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)陳冉升:六方氮化硼薄膜生長(zhǎng)及hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電學(xué)特性的研究

世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過(guò)率AlN單晶襯底

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進(jìn)展

廈門大學(xué)副教授高娜：基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光發(fā)射調(diào)控

奧趨光電發(fā)布高性能、耐超高溫AlN單晶襯底基AlScN壓電材料新產(chǎn)品

我國(guó)研究者開發(fā)AlNO新型緩沖層，提升綠光LED效率方面獲重大進(jìn)展

北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長(zhǎng)研究

奧趨光電王琦琨博士：PVT法生長(zhǎng)高質(zhì)量大尺寸AlN單晶的最新進(jìn)展與挑戰(zhàn)

中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所陳荔：基于藍(lán)寶石襯底的半極性面AlN外延及高溫?zé)崽幚硌芯?/a>

北京大學(xué)許福軍：高質(zhì)量AlN實(shí)現(xiàn)路徑探索及深紫外發(fā)光器件應(yīng)用

【CASICON 2021】奧趨光電吳亮：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望

科研人員提出超寬禁帶半導(dǎo)體材料AlN位錯(cuò)抑制新方法

山東大學(xué)張雷：溫度梯度對(duì)PVT法生長(zhǎng)AlN晶體的影響

江蘇博睿光電梁超：Y2O3-CaF2對(duì)LED用AlN封裝基板性能的影響

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