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北京大學(xué)申請長波長
InGaN
基發(fā)光二極管專利,有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入
評論 ?
2024-03-25 10:36
成果推薦 | 硅襯底上基于高Al組分Al
InGaN
勢壘層射頻微波器件
評論 ?
2024-03-13 20:04
廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)演示可同步輻射正交線偏振綠光的半極性
InGaN
基MCLED
評論 ?
2024-01-24 17:32
南京大學(xué)莊喆:基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的
InGaN
基紅光LED器件
評論 ?
2023-12-27 13:50
SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠:利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率
InGaN
紅光
評論 ?
2023-11-27 22:08
【CASICON 2023】湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院(集成電路學(xué)院)李陽鋒:原位AlGaN插入層降低
InGaN
LED漏電流
評論 ?
2023-05-09 11:18
鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif:銦摩爾分?jǐn)?shù)對
InGaN
基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響
評論 ?
2021-12-10 15:35
廈門大學(xué)聯(lián)合三安光電技術(shù)攻關(guān),超8瓦大功率
InGaN
藍(lán)光激光器取得突破性成果
廈門大學(xué)
三安光電
8瓦
大功率
InGaN
藍(lán)光激光器
評論 ?
2021-02-08 08:24
InGaN
μLED外部量子效率改進(jìn)最新研究成果 有望消除高性能μLED發(fā)展瓶頸
評論 ?
2020-07-27 14:59
英國Plessey宣布開發(fā)出世界上首個(gè)硅基
InGaN
紅光LED
英國
Plessey
開發(fā)
世界
首個(gè)
硅基
InGaN
紅光LED
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2019-12-09 17:34
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