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北京大學微電子學院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術，在 優(yōu)化的HEMT結構上實現了高性能的增強型GaN MOSHEMT。

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泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（以下簡稱“泰科天潤”）是中國碳化硅（SiC）功率器件產業(yè)化的倡導者之一，致力于中國半導體功率器件制造產業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費者提供優(yōu)質的半導體功率器件產品和專業(yè)服務。 作為國內唯一一家碳化硅研發(fā)生產和平臺服務型公司，泰科天潤目前在北京已建成國內第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產線，可在SiC外延上實現半導體功率器件的制造工藝。 泰科天潤的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎核心產品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

周達成授表示，在過去十年中，基于兩個寬禁帶（WBG）半導體（GaN和SiC）的功率開關器件正在影響功率電子系統(tǒng)，這是由于其良好的工業(yè)效用和改善的性能，且比傳統(tǒng)的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示，通過模擬和實驗應力（如電流崩塌和高溫反偏），評估了現有......請在WIFI條件下反復觀看！

美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現狀與展望”主題報告。Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，其決定了能量調節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統(tǒng)。針對不同的應用，如今的商業(yè)市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。