簽約項(xiàng)目
中科鋼研SiC項(xiàng)目落戶西安
中科鋼研SiC項(xiàng)目落戶西安
7月28日，西咸新區(qū)空港新城在北京和中科鋼研節(jié)能科技有限公司、國(guó)宏中晶集團(tuán)有限公司共同就碳化硅半導(dǎo)體新材料及激光陀螺儀制造兩個(gè)“高精尖”項(xiàng)目正式簽訂投資協(xié)議，此次簽約的碳化硅半導(dǎo)體新材料及激光陀螺儀制造項(xiàng)目總投資18億元，規(guī)劃用地130畝，項(xiàng)目建成后年產(chǎn)值約16億元。
露笑第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園落戶合肥
8月9日，露笑科技發(fā)布公告稱，公司8月8日與合肥市長(zhǎng)豐縣人民政府簽署了共同投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園的戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，雙方將在合肥市長(zhǎng)豐縣共同投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園，包括碳化硅晶體生長(zhǎng)、襯底制作、外延生長(zhǎng)等的研發(fā)生產(chǎn)，項(xiàng)目投資總規(guī)模預(yù)計(jì)100億元。
聞泰建中國(guó)首座12英寸車規(guī)級(jí)晶圓廠
8月19日，中國(guó)第一座12英寸車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體自動(dòng)化晶圓制造中心項(xiàng)目正式簽約落戶上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)。項(xiàng)目總投資120億元，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能36萬(wàn)片。
廈門電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)項(xiàng)目簽約
8月31日，廈門市電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)上簽約了78個(gè)項(xiàng)目，總簽約金額達(dá)807.8億元，涉及半導(dǎo)體與集成電路、計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備、平板顯示、軟件信息服務(wù)等領(lǐng)域。其中，半導(dǎo)體和集成電路11個(gè)項(xiàng)目，簽約金額為135億元，包含了新型顯示MicroLED和第三代半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域。
百識(shí)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶南京
9月16日，第31屆中國(guó)南京金秋經(jīng)貿(mào)洽談會(huì)上，投資30億元的百識(shí)第三代半導(dǎo)體6英寸晶圓制造項(xiàng)目成功簽約南京浦口。該項(xiàng)目擬用地80畝，建立第三代半導(dǎo)體外延片+器件專業(yè)代工，可以承接國(guó)內(nèi)外IDM與designhouse的委托制作訂單，串接國(guó)內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，達(dá)到第三代半導(dǎo)體芯片國(guó)造的目標(biāo)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電動(dòng)車、雷達(dá)、快速充電器等。
砷化鎵集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目落戶江西
9月23日，贛州經(jīng)開區(qū)舉行項(xiàng)目集中簽約儀式，總投資近45億元的14個(gè)項(xiàng)目集中落戶。分別是東宏光電科技股份有限公司6英寸砷化鎵集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目，贛州芯聚微電子有限公司芯片設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試項(xiàng)目等14個(gè)項(xiàng)目。
開工項(xiàng)目
開工項(xiàng)目
哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚焦區(qū)項(xiàng)目
7月3日，科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項(xiàng)目在哈爾濱新區(qū)江北一體發(fā)展區(qū)正式開工建設(shè)。該項(xiàng)目占地4.5萬(wàn)平方米，一期計(jì)劃投資10億元，主要建設(shè)中俄第三代半導(dǎo)體研究院、科友半導(dǎo)體襯底制備中心、科友半導(dǎo)體高端裝備制造中心、科友半導(dǎo)體產(chǎn)品檢驗(yàn)檢測(cè)中心等項(xiàng)目。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，最終形成年產(chǎn)高導(dǎo)晶片近10萬(wàn)片，高純半絕緣晶體 1000 公斤的產(chǎn)能；PVT-SIC 晶體生長(zhǎng)成套設(shè)備年產(chǎn)銷200臺(tái)套。
南砂集團(tuán)SiC材料與晶片生產(chǎn)項(xiàng)目
7月8日，南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項(xiàng)目在廣州南沙區(qū)開工。據(jù)悉，該項(xiàng)目選址萬(wàn)頃沙保稅港加工制造業(yè)區(qū)塊，總投資9億元，將開展碳化硅單晶材料研發(fā)、中試等工作，發(fā)力高科技芯片領(lǐng)域。同時(shí)，建設(shè)科研辦公綜合樓、半導(dǎo)體廠房，擴(kuò)大晶體生長(zhǎng)和加工規(guī)模，增加外延片加工生產(chǎn)線，使業(yè)務(wù)從晶體生長(zhǎng)、襯底加工延伸到外延加工環(huán)節(jié)。達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬(wàn)片，年產(chǎn)值將達(dá)13.5億元。
長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目
7月20日，投資160億元，占地面積1000畝的“三安光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園”，在長(zhǎng)沙高新區(qū)啟動(dòng)開工建設(shè)。該產(chǎn)業(yè)園主要用于建設(shè)具自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。這里，也將誕生我國(guó)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線。
10月7日，C2綜合動(dòng)力站日前已率先完成封頂，同時(shí)，項(xiàng)目最大單體建筑M2B碳化硅芯片生產(chǎn)廠房全面進(jìn)入主體施工收尾階段。
博藍(lán)特第三代半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目
7月23日，博藍(lán)特第三代半導(dǎo)體碳化硅及藍(lán)寶石襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目在浙江金華開工。將智造與制造相結(jié)合，點(diǎn)燃新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換的“助推器”，開發(fā)區(qū)正全力扶持本地龍頭企業(yè)加速向產(chǎn)業(yè)鏈高端攀登。新開工的項(xiàng)目計(jì)劃總投資10億元，分期建設(shè)，項(xiàng)目全部建成后預(yù)計(jì)每年新增營(yíng)收12.5億元，新增納稅1.18億元，新增就業(yè)崗位500個(gè)。
露笑科技浙江紹興SiC襯底片項(xiàng)目
7月30日，浙江露笑碳硅晶體有限公司新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目在浙江紹興開工。據(jù)悉，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資6.95億元，項(xiàng)目主要采用碳化硅升華法長(zhǎng)晶工藝及SiC襯底加工工藝，引進(jìn)具有國(guó)際先進(jìn)水平的6英寸導(dǎo)電晶體生長(zhǎng)爐、4英寸高純半絕緣晶體生長(zhǎng)爐等設(shè)備，購(gòu)置多線切割機(jī)、拋光機(jī)等國(guó)產(chǎn)設(shè)備，建成后形成年產(chǎn)8.8萬(wàn)片碳化硅襯底片的生產(chǎn)能力。
天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體SIC襯底項(xiàng)目
8月17日，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目開工儀式在北京市大興區(qū)黃村鎮(zhèn)大興新城東南工業(yè)區(qū)隆重舉行。這是天科合達(dá)自籌資金建設(shè)的用于碳化硅晶體襯底研發(fā)及生產(chǎn)的項(xiàng)目，總投資約9.5億元人民幣，總建筑面積5.5萬(wàn)平方米，新建一條400臺(tái)/套碳化硅單晶生長(zhǎng)爐及其配套切、磨、拋加工設(shè)備的碳化硅襯底生產(chǎn)線，項(xiàng)目計(jì)劃于2022年年初完工投產(chǎn)，建成后可年產(chǎn)碳化硅襯底12萬(wàn)片。
常州武進(jìn)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目
9月8日，2020年常州武進(jìn)區(qū)重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工暨新科人居智能舒適系統(tǒng)項(xiàng)目開工儀式在禮嘉鎮(zhèn)舉行。40個(gè)項(xiàng)目集中開工，總投資139.5億元，年度計(jì)劃投資32.5億元。此次集中開工的項(xiàng)目，既有總投資30億元的新晶宇高端化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目、總投資19億元的集成電路生態(tài)產(chǎn)業(yè)園等產(chǎn)業(yè)大項(xiàng)目，也有一批新興產(chǎn)業(yè)、農(nóng)業(yè)、民生項(xiàng)目。
投融資項(xiàng)目
天科合達(dá)科創(chuàng)板上市申請(qǐng)被受理
7月14日，上交所正式受理了北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱“天科合達(dá)”）科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。天科合達(dá)擬募集資金5億元投建。本次募集資金投資項(xiàng)目第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目主要建設(shè)一個(gè)包括晶體生長(zhǎng)、晶片加工和清洗檢測(cè)等全生產(chǎn)環(huán)節(jié)的生產(chǎn)基地。項(xiàng)目投產(chǎn)后年產(chǎn)12萬(wàn)片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶片約為8.2萬(wàn)片，6英寸半絕緣型碳化硅晶片約為3.8萬(wàn)片。
氮矽科技獲得千萬(wàn)級(jí)天使輪融資
7月29日，分離式氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片及增強(qiáng)型氮化鎵晶體管研發(fā)公司成都氮矽科技有限公司宣布獲得千萬(wàn)級(jí)天使輪融資，由率然投資領(lǐng)投，鼎青投資跟投。氮矽科技已研發(fā)出三款產(chǎn)品：分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片（DX1SE-A）、650V增強(qiáng)型氮化鎵MOSFET、氮化鎵功率IC。
中晟光電獲億元投資
8月，中晟光電設(shè)備（上海）股份有限公司完成新一輪股票定向發(fā)行，由上海浦東科創(chuàng)集團(tuán)有限公司領(lǐng)投,總募集資金1.13億元，募集資金用于研發(fā)生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體分立器件高端裝備。本次定向發(fā)行除領(lǐng)投方浦東科創(chuàng)集團(tuán)之外，參與認(rèn)購(gòu)還有海通盛陽(yáng)、張江科投、中科創(chuàng)星、同祺投資、重慶冠達(dá)，中晟光電董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理CHEN AIHUA（陳愛(ài)華）、副總經(jīng)理陳曉等。
小米投資芯片公司睿芯微電子
9月8日，西安睿芯微電子有限公司（即“ 睿芯微電子”）新增投資人：湖北小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)(有限合伙)，持股比例為 9.26%。小米產(chǎn)業(yè)投資部合伙人在采訪時(shí)表示，“目前我們主要投資5G相關(guān)的射頻器件、人工智能、第三代化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)制造設(shè)備（包括生產(chǎn)設(shè)備和檢測(cè)設(shè)備）以及工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的相關(guān)核心技術(shù)。”
光莆加快布局第三代半導(dǎo)體光電應(yīng)用
9月14日，光莆股份發(fā)布公告宣布擬出資7500萬(wàn)參與投資產(chǎn)業(yè)投資基金，以加快公司在第三代半導(dǎo)體光應(yīng)用領(lǐng)域戰(zhàn)略布局落地。目前，基金尚處于籌備階段。
