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總投資30億元,華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目一期年底投產(chǎn)

日期:2021-03-15 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:338
核心提示:近日,安徽省滁州市南譙區(qū)的華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目又迎來了新動態(tài)。
近日,華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目迎來新動態(tài)。
 
華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元,項目位于南譙經(jīng)濟開發(fā)區(qū),于2020年10月29日奠基,這是南譙浦口合作產(chǎn)業(yè)園的首個入駐項目,主營業(yè)務(wù)為研發(fā)、生產(chǎn)、銷售功率半導(dǎo)體芯片。
 
據(jù)南譙區(qū)人民政府消息,項目一期用地100畝,6萬平米的生產(chǎn)廠房預(yù)計今年5月封頂,年底將正式投產(chǎn),一期達產(chǎn)后,預(yù)計年銷售額可達10億元。
 
此前公開消息顯示,該項目主要承擔(dān)第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,建設(shè)SiC MOSFET生產(chǎn)線。項目建成后將形成年產(chǎn)1萬片第三代化合物半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)能力。
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