4月21日,”2021功率半導(dǎo)體與車用LED技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用論壇”將在上海上海世博展覽館舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟指導(dǎo),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.jycsgw.cn)與勵(lì)展博覽集團(tuán)主辦。
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![南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司技術(shù)總監(jiān)雷建明](http://m.jycsgw.cn/file/upload/202104/15/091416911.jpg)
南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司技術(shù)總監(jiān)雷建明將受邀出席論壇,并分享“氮化鎵功率開(kāi)關(guān)器件及其在超輕薄開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的應(yīng)用研究”的主題報(bào)告。
GaN功率開(kāi)關(guān)器件替換Si基MOSFET器件在開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用,并非簡(jiǎn)單意義上的直接替換。GaN基電源最大的特點(diǎn)是將工作頻率提高數(shù)十倍,然而,工作頻率的提高會(huì)帶來(lái)更為嚴(yán)峻的噪聲處理問(wèn)題。另一方面,GaN器件閾值電壓低、抗噪聲能力弱,且存在固有的物理缺陷。報(bào)告將從器件、驅(qū)動(dòng)、控制、拓?fù)潆娐返确矫嫒轿惶岢鼋鉀Q方案,在實(shí)現(xiàn)超輕薄目標(biāo)的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步提升產(chǎn)品的效率和工作可靠性。
雷建明博士主要從事 GaN HEMT 器件的動(dòng)態(tài)特性表征、可靠性分析及其在開(kāi)關(guān)電源中的電路模塊設(shè)計(jì)、產(chǎn)品可靠性研究。具有十年電源設(shè)計(jì)和企業(yè)管理工作經(jīng)驗(yàn),曾任外企總工程師和國(guó)內(nèi)上市公司部門(mén)經(jīng)理,已開(kāi)發(fā)出十多款基于 GaN 器件的驅(qū)動(dòng)電路模塊。主持省市級(jí)課題2項(xiàng),獲已授權(quán)發(fā)明專利13項(xiàng),其中2項(xiàng)國(guó)際發(fā)明專利,發(fā)表SCI論文9篇。
南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司是2018年成立的南京市新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。企業(yè)的定位是進(jìn)行科研成果轉(zhuǎn)化工作,同時(shí)承擔(dān)了產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目孵化和引進(jìn)的職能。研究院經(jīng)過(guò)3年運(yùn)營(yíng),形成了以光電技術(shù)為主,高新材料、節(jié)能環(huán)保、信息工程、先進(jìn)制造為輔的五個(gè)產(chǎn)業(yè)方向。技術(shù)水平領(lǐng)先,第三代半導(dǎo)體材料和器件產(chǎn)品是研究院的特色技術(shù)產(chǎn)品。目前已經(jīng)具備氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)、超薄輕快電源設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售的能力。
時(shí)間:2021年4月21日(09:00-17:30)
地點(diǎn):上海·上海世博展覽館1號(hào)館-NEPCON劇院(上海市浦東新區(qū)國(guó)展路1099號(hào))
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現(xiàn)場(chǎng)登記流程,統(tǒng)一從西門(mén)進(jìn)。 需要注意的是,1)務(wù)必提醒帶身份證 2)14天內(nèi)經(jīng)過(guò)中高風(fēng)險(xiǎn)地區(qū)的,需要出示核酸檢測(cè)報(bào)告!
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