半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，日前，在新馬工業(yè)園內(nèi)，湖南德智新材料有限公司（以下簡稱“德智新材料”）半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產(chǎn)。
據(jù)德智新材料董事長柴攀表示，此次半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目，總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環(huán)的研發(fā)、制造，投產(chǎn)后年產(chǎn)值超1億元。
消息顯示，SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關鍵耗材。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。
據(jù)官方介紹，德智新材料成立于2017年，是一家專業(yè)從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復合材料研發(fā)，生產(chǎn)和銷售的高新技術企業(yè)。
