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順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項目簽約

日期:2023-10-08 閱讀:333
核心提示:據(jù)悉,近日,株洲市石峰區(qū)舉行順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項目簽約儀式。順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項目位于田
據(jù)悉,近日,株洲市石峰區(qū)舉行順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項目簽約儀式。
 
順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項目位于田心高科園,主要生產(chǎn)工業(yè)調(diào)頻、充電樁、儲能逆變、光伏/風(fēng)力發(fā)電用IGBT模塊等。該項目總投資7.5億元,預(yù)計在今年年底啟動建設(shè),明年上半年正式投產(chǎn),建成達(dá)產(chǎn)400萬個IGBT模塊及100萬個SiC模塊,預(yù)計年產(chǎn)值8億元。

 

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