3月27日，浙江省嘉興國家高新區(qū)（高照街道）一季度重大項目集中簽約儀式舉行。活動現(xiàn)場，2個總投資超50億元的瓷新半導體材料總部項目、摩珂達SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項目完成簽約。

值得一提的是，不久前，嘉興國家高新區(qū)還簽約另一個SiC項目。今年2月消息，嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目簽約。該項目由晶能微電子與星驅(qū)技術團隊共同出資設立，重點布局車規(guī)SiC半橋模塊。該項目總投資約10億元，投資建設年產(chǎn)90萬套SiC半橋模塊制造生產(chǎn)線及相關配套，投產(chǎn)后預計實現(xiàn)年產(chǎn)值約12.5億元。據(jù)晶能微電子CEO潘運濱透露，該項目是在去年晶能微電子投資50.17億元建設晶圓和模塊生產(chǎn)線基礎上，聯(lián)合合作伙伴，針對新的市場需求和產(chǎn)品類型做的新一輪擴產(chǎn)投資。