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盛合晶微超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項(xiàng)目暨J2C廠房開(kāi)工

日期:2024-05-20 閱讀:586
核心提示:盛合晶微超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項(xiàng)目暨J2C廠房開(kāi)工儀式在江陰高新區(qū)舉行。

 5月19日,盛合晶微超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項(xiàng)目暨J2C廠房開(kāi)工儀式在江陰高新區(qū)舉行。

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盛合晶微半導(dǎo)體有限公司自2014年落戶江陰以來(lái),致力于開(kāi)發(fā)更小間距、更細(xì)線寬、多層互聯(lián)、立體堆疊以及更大尺寸范圍內(nèi)的先進(jìn)三維多芯片集成加工技術(shù),不斷滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的芯片算力需求。

此次開(kāi)工的J2C廠房項(xiàng)目建成后,將新增潔凈室面積3萬(wàn)平方米,推動(dòng)盛合晶微江陰運(yùn)營(yíng)基地的凈化廠房總面積達(dá)到10萬(wàn)平方米以上,有力支撐企業(yè)三維多芯片集成加工和超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝等項(xiàng)目發(fā)展,更好為智能手機(jī)、人工智能、通訊與計(jì)算、工業(yè)與汽車電子等領(lǐng)域客戶提供先進(jìn)封裝測(cè)試服務(wù)。

“依靠本土設(shè)備技術(shù)能力,本次采用大視場(chǎng)光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)了0.8um/0.8um線寬線距技術(shù)水平,加工的硅穿孔轉(zhuǎn)接板產(chǎn)品達(dá)到3倍光罩尺寸。”盛合晶微董事長(zhǎng)、CEO崔東表示,新項(xiàng)目標(biāo)志著企業(yè)在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域正式進(jìn)入亞微米時(shí)代,也意味著盛合晶微有能力以亞微米線寬互聯(lián)技術(shù),在更大尺寸范圍內(nèi)更有效地提升芯片互聯(lián)密度,從而提高芯片產(chǎn)品的總算力水平。

近年來(lái),盛合晶微發(fā)揮前段晶圓制造和質(zhì)量管理體系的優(yōu)勢(shì),于多個(gè)先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)搶占先機(jī)、拔得頭籌,2023年?duì)I收逆勢(shì)大幅增長(zhǎng),現(xiàn)已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)在12英寸中段凸塊加工、12英寸晶圓級(jí)芯片封裝、2.5D芯粒加工等高端集成電路制造領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)、規(guī)模領(lǐng)先的企業(yè),助力無(wú)錫在局部領(lǐng)域、關(guān)鍵環(huán)節(jié)形成更多標(biāo)志性成果、引領(lǐng)性突破,不斷擦亮集成電路地標(biāo)產(chǎn)業(yè)“金字招牌”。

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