8月22日，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目12英寸生產線舉辦了首批工藝設備搬入儀式。

據了解，今年4月20日，華虹制造（無錫）項目FAB9主廠房全面封頂。該工程為華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目，總投資67億美元，將建設一條工藝等級65/55-40nm、月產能8.3萬片的12英寸特色工藝生產線。

目前，華虹半導體在上海金橋和張江建有三座8英寸晶圓廠，月產能約18萬片。另在無錫高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)內建有一座月產能9.45萬片的12英寸晶圓廠（“華虹無錫一期”），這不僅是全球領先的12英寸特色工藝生產線，也是全球第一條12英寸功率器件代工生產線。目前，正在推進華虹無錫二期12英寸芯片生產線的建設。

目前，全球12英寸晶圓生產建設已成為大趨勢，華虹半導體在不斷提升技術實力的同時，也在不斷擴充12英寸產能，力爭在12英寸特色工藝領域繼續(xù)保持全球領先地位。根據8月8日，華虹公布的財報顯示，二季度來自于8英寸晶圓和12英寸晶圓的銷售收入分別為2.455億美元及2.330億美元，其中，12英寸晶圓銷售收入占比由去年同期的42.8%提升至48.7%。

華虹半導體總裁兼執(zhí)行董事唐均君在財報中表示，公司第二條12英寸生產線的建設正在緊鑼密鼓地推進中，預計年底前可以試生產，屆時公司的產能及特色工藝平臺將得到進一步的拓展和提升、挖掘出更大的潛力。