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西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

北大團隊新型器件技術(shù)加速GaN進入工業(yè)與汽車應(yīng)用

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

量子半導(dǎo)體器件實現(xiàn)拓撲趨膚效應(yīng)

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進展

北京大學(xué)申請半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

中國科學(xué)院長春光機所黎大兵研究團隊喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎

九峰山實驗室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

嘉善復(fù)旦研究院與復(fù)旦大學(xué)科研團隊在低傳導(dǎo)損耗功率器件方面取得重大進展

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院楊迎國等在鈣鈦礦半導(dǎo)體光電器件研究方面取得進展

中山大學(xué)王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進展

中國科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報告》

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

簡述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場發(fā)展概況

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進展

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進展

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進展

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

簡述選擇GaN或SiC器件的重點

東南大學(xué)兩項研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會IEDM

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