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上海光機所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進展

簡述選擇GaN或SiC器件的重點

簡述通過柵極驅(qū)動器提高開關(guān)電源功率密度

長春應(yīng)化所在晶態(tài)有機發(fā)光二極管研究中取得重要進展

東南大學(xué)兩項研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會IEDM

廈大課題組在有機半導(dǎo)體空穴傳輸材料領(lǐng)域取得系列進展

山東省新一代半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)等重點實驗室批準(zhǔn)建設(shè)

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進展

中國科大在低維光伏材料點缺陷性質(zhì)研究中取得新進展

清華大學(xué)研究團隊合作利用激光加工氮化硼實現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺達電子篇

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

硅基氮化鎵Micro-LED，實現(xiàn)高速可見光通信信號探測

西安交大提出“仿生門控”柔性傳感新模式

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

簡述低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進展

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯難題

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團隊實現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

復(fù)旦大學(xué)研究團隊合作發(fā)明晶圓級硅基二維互補疊層晶體管

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進展

GAA 晶體管繼任者？復(fù)旦大學(xué)團隊公布CFET新進展！

簡述電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI材料領(lǐng)域取得重要進展

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院在二維半導(dǎo)體超薄介電層集成技術(shù)研究取得重要進展

補盲激光雷達，角分辨率越小越好嗎？

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