亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<li id="0k2uu"><code id="0k2uu"></code></li>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

“伺”來運(yùn)轉(zhuǎn)，看施耐德電氣如何為上百種工業(yè)設(shè)備打造效率影響力？

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計(jì)更簡單

格創(chuàng)東智天樞AI平臺(tái)3.0：從數(shù)據(jù)到效果，閉環(huán)服務(wù)提升產(chǎn)線效率

福建泓光半導(dǎo)體材料取得一種光刻膠自動(dòng)過濾裝置專利，提高工作效率

豪緯集團(tuán)申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

銀河微電申請SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設(shè)計(jì)方法專利，設(shè)計(jì)效率高

廣電計(jì)量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

天岳先進(jìn)：持續(xù)進(jìn)行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長效率和質(zhì)量

中科潞安量產(chǎn)產(chǎn)品性能再升級大功率UVC-LED器件實(shí)驗(yàn)室效率破9.5%

三安光電臧雅姝：固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)

利用激光垂直剝離突破碳化硅SiC切割成本與效率，晶飛半導(dǎo)體獲數(shù)千萬元天使輪融資

SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率InGaN紅光

SSLCHINA2023│北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲：MicroLED的尺寸效應(yīng)與高色彩轉(zhuǎn)換效率

美國國家工程院院士Umesh Mishra：高效率氮化物功率半導(dǎo)體和射頻電子研究進(jìn)展

泰克攜手芯源系統(tǒng)(MPS)助力高效率高功率密度電源應(yīng)用

美國Bolb公司董事長張劍平博士：透明紫外C波段發(fā)光二極管的光提取效率和性能

美國Bolb Inc.董事長兼首席技術(shù)官張劍平：透明紫外C波段發(fā)光二極管的光提取效率和性能

武大研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)24.1%高效率鈣鈦礦近紅外發(fā)光LED

范德華力輔助傳熱工程用于柔性鈣鈦礦電池 41.3%高效率

南方電網(wǎng)推出新一代充電樁充電峰值效率達(dá)96%

重慶永川成功研發(fā)無輻射遠(yuǎn)距離無線供電發(fā)射芯片，充電效率可達(dá)80%以上

Wolfspeed CEO：碳化硅 SiC 開啟能源效率新時(shí)代

鎵未來推出圖騰柱PFC+LLC量產(chǎn)電源方案：內(nèi)置氮化鎵，700W輸出效率高

東芝推出采用最新一代工藝150V N溝道功率MOSFET大幅提高電源效率

GaN Systems和徐州金沙江半導(dǎo)體共同展示GaN在提高數(shù)據(jù)中心效率和盈利能力方面的巨大優(yōu)勢

中環(huán)股份2021年凈利40.2億元，單臺(tái)爐產(chǎn)效率業(yè)內(nèi)領(lǐng)先！

又要漲價(jià)！英飛凌：成本增加到已無法通過提高內(nèi)部效率來吸收

第1頁/共2頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<tr id="mkcc2"></tr>

<rt id="mkcc2"><center id="mkcc2"></center></rt>