亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<strike id="oesy8"><menu id="oesy8"></menu></strike>

<tfoot id="oesy8"><table id="oesy8"></table></tfoot>

<cite id="oesy8"></cite>

<cite id="oesy8"></cite>

<fieldset id="oesy8"><table id="oesy8"></table></fieldset>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

中航紅外新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目啟動(dòng)生產(chǎn)線調(diào)試

清華大學(xué)功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制項(xiàng)目簽約湖南企業(yè)

上海臨港新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目通過竣工驗(yàn)收

上海臨港新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目通過竣工驗(yàn)收

青禾晶元領(lǐng)跑國際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

半導(dǎo)體所在2D/3D雙模視覺處理芯片研制取得新進(jìn)展

山東粵海金成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

上海新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目全面封頂

IFWS 2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

粵海金半導(dǎo)體順利研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光電副總經(jīng)理梁超博士：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)

國內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

國內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

國內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

中國電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)印發(fā)《2023年全國標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》加強(qiáng)新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

從基礎(chǔ)到應(yīng)用碳化硅晶體研制獲突破

重大突破 | 國內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所“深紫外激光光致發(fā)光光譜儀”入選中國科學(xué)院自主研制科學(xué)儀器名錄

智新半導(dǎo)體已研制出基于第3代半導(dǎo)體碳化硅的功率模塊

我國自主研制深紫外LED器件助力疫情防控

全面自主研發(fā)和量產(chǎn)！中機(jī)新材在精密研磨拋材料研制方面獲多項(xiàng)技術(shù)突破

廣東光大科研制造中心項(xiàng)目開工，一期投資100億元

中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院成功研制BGA芯片外觀檢測設(shè)備

工信部：2022年汽車標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn) 加快新興領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

?電科材料成功研制出8英寸碳化硅晶體實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)！

中電科二所研制出山西首片碳化硅芯片

【CASICON 2021】云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家惠峰：VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用

第1頁/共2頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<strike id="mkeie"><menu id="mkeie"></menu></strike>

<fieldset id="mkeie"><table id="mkeie"></table></fieldset>