亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<delect id="cc4yc"><th id="cc4yc"></th></delect>

<dl id="cc4yc"><noframes id="cc4yc"></noframes></dl><ul id="cc4yc"></ul>

<delect id="cc4yc"><xmp id="cc4yc"></xmp></delect><dl id="cc4yc"><strong id="cc4yc"></strong></dl>

<dd id="cc4yc"></dd>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

廈門大學團隊演示可同步輻射正交線偏振綠光的半極性InGaN基MCLED

北京大學申請高動態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動態(tài)穩(wěn)定性

華南師范大學王幸福：GaN微納結構及其光電子器件研究

三安宣布進軍美洲市場，為市場提供SiC和GaN功率半導體產(chǎn)品

瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術擴展電源產(chǎn)品陣容

香港中文大學（深圳）冀東：GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性

英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級GaN，持續(xù)推進汽車激光雷達市場

簡述氮化鎵(GaN)的應用市場

ULVAC牛山史三：GaN濺射技術進展

南京大學莊喆：基于外延層殘余應變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

深圳大學劉新科：低成本垂直GaN功率器件

西安電子科技大學游淑珍：面向1200V功率應用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

大阪公立大學梁劍波：增強 GaN/3C-SiC/金剛石結構的散熱性能，以適應實際器件應用

多倫多大學吳偉東：用于電動汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

北京大學申請GaN與碳納米管CMOS電路專利

IFWS 2023│華南師范大學尹以安：具復合柵極和階梯結構的新型GaN垂直晶體管研究

IFWS 2023│臺灣成功大學李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│日本國立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS應變調(diào)控諧振器

IFWS 2023│南方科技大學于洪宇：Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

IFWS 2023│中國科學院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

CASAS正式成立SiC/GaN功率器件與模塊工作組

IFWS 2023│ 中國電子科技集團第四十六研究所孫杰：高導熱GaN/金剛石結構制備及器件性能

IFWS 2023│南京大學蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光電探測器的優(yōu)化設計及擊穿機理研究

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

SSLCHINA2023│北京大學教授陳志忠：利用溝槽結構生長高效率InGaN紅光

SSLCHINA2023│廈門大學吳挺竹：基于GAN的元技術和EV的技術的最新進展

IFWS&SSLCHINA 2023重磅關注│三安將亮相并全面分享碳化硅、GaN激光器、MiniMicro-LED、UV LED等重要進展

華泰證券：SiC商業(yè)化進程領先GaN三年預計2026年投資擴產(chǎn)或轉向GaN

英飛凌以8.3億美元完成對氮化鎵系統(tǒng)公司 GaN Systems 的收購

晶能光電：硅襯底GaN材料應用大有可為

第3頁/共11頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<button id="cac66"><wbr id="cac66"></wbr></button>

<delect id="cac66"></delect><delect id="cac66"><xmp id="cac66"></xmp></delect>