亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

比利時氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國買家競購設備資產(chǎn)

豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

安徽格恩半導體申請GaN基化合物半導體激光元件專利，提升光束質量因子

納維達斯半導體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

華燦光電擬將GaN募投項目建成時間延長至明年底

平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術與典型應用| IFWS2024

姚威振：新型MOCVD反應器設計，促進GaN材料創(chuàng)新發(fā)展 | IFWS&SSLCHINA2024

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源

無錫博通申請半橋GaN增強型開關器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關

新潔能：SiC/GaN項目年底竣工投產(chǎn)

東南大學信息科學與工程學院150nmGaN芯片流片采購項目競爭性磋商公告

英諾賽科GaN：開啟高效、便攜的電子產(chǎn)品新時代

法國GaN企業(yè)獲應用材料、臺灣工研院投資

國博電子：上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品，預計下半年開發(fā)并應用新一代的產(chǎn)品

信越化學面向GaN半導體開發(fā)出大型基板

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競購者報價1.3億歐元

機構：2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元

豪緯集團申請一種基于微納陣列結構 GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結構中有源層的發(fā)光效率

CASA立項GaN HEMT非鉗位感性負載開關魯棒性測試方法1項團體標準

又一 GaN 企業(yè)宣告破產(chǎn)！

德高化成第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產(chǎn)項目開工

標準 | 2項GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試標準形成委員會草案

全球SiC和GaN功率半導體市場2034年將增至110.8億美元

萬年晶GaN項目已投產(chǎn)

西安電子科技大學GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標公告二次

聞泰科技：已實現(xiàn)GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品銷售和SiC整流管的工業(yè)消費級量產(chǎn)

第1頁/共11頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部