亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

中欣晶圓半導(dǎo)體材料研究院成立，以半導(dǎo)體硅材料技術(shù)工藝研發(fā)等為主方向

晶盛機(jī)電擬定增57億擴(kuò)產(chǎn)碳化硅及半導(dǎo)體材料相關(guān)設(shè)備項目

石碣百達(dá)半導(dǎo)體材料增資擴(kuò)產(chǎn)項目開工總投資2億元

研究人員創(chuàng)造一種讓復(fù)雜半導(dǎo)體材料自行組裝的方法

印度開展半導(dǎo)體材料工程研究

字節(jié)跳動投資光舟半導(dǎo)體，后者致力于微納半導(dǎo)體材料等開發(fā)

半導(dǎo)體材料廠商德邦科技科創(chuàng)板上市申請獲受理

默克將對韓國投資近7億美元有助于確保半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈穩(wěn)定

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所關(guān)于舉辦第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用高級研修班的通知

日本半導(dǎo)體材料廠商相繼啟動增產(chǎn)以進(jìn)一步提高競爭力

東尼電子：目前公司碳化硅半導(dǎo)體材料項目主要研發(fā)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料

5.14億美元半導(dǎo)體材料制造商JSR收購Inpria

5.14億美元，全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域新添并購案

港科大開發(fā)基于氮化鎵的互補(bǔ)邏輯集成電路，極大提升第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用前景

昭和電工增資1093億日元（約65億人民幣）用于半導(dǎo)體材料增產(chǎn)

今年全球半導(dǎo)體材料市場將超過570億美元

第三代半導(dǎo)體材料公司氮矽科技獲千萬級Pre-A輪融資

設(shè)立蘇州飛鹿半導(dǎo)體飛鹿股份進(jìn)軍半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)

全球芯片需求激增，富士膠片加碼逾6億美元投資半導(dǎo)體材料

富士膠片加碼逾6億美元投資半導(dǎo)體材料

全球芯片需求激增富士膠片加碼逾6億美元投資半導(dǎo)體材料

寧波新材料五年發(fā)展規(guī)劃出爐，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體材料被提及

韓媒：中國半導(dǎo)體材料和設(shè)備國產(chǎn)化加速

大灣區(qū)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)進(jìn)擊：從上游技術(shù)追趕走向平臺化生態(tài)

半導(dǎo)體材料巨頭英特格高雄廠正式動土將優(yōu)先供應(yīng)臺積電等半導(dǎo)體

半導(dǎo)體所等在半導(dǎo)體材料“異構(gòu)外延”研究中獲進(jìn)展

第三代半導(dǎo)體材料: SiC的興起與未來

極具潛力的半導(dǎo)體材料，硫化鉑光電特性研究獲新突破

Porotech獲300萬英鎊融資，開發(fā)AR/VR MicroLED半導(dǎo)體材料

云大半導(dǎo)體材料硫化鉑光電特性研究獲新突破，助力大面積電子器件發(fā)展

第7頁/共10頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部