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北京航天賽德申請氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

張道華院士：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究

中國科大微電子學院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進展

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機驅(qū)動電路研究

香港中文大學（深圳）冀東：GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性

IFWS 2023│中國電子科技集團第五十五研究所黃潤華：750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對器件特性的影響研究

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CASICON西安前瞻| 陜西師范大學李曉輝：低維材料的非線性光學特性及超快光纖激光技術(shù)研究

CASICON西安站前瞻|西安交通大學陳冉升:六方氮化硼薄膜生長及hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電學特性的研究

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學特性研究方面取得重要進展

中國標準化研究院蔡建奇：基于眼生理參數(shù)時間周期特性的視覺舒適度研究

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

西安電子科技大學功率器件特性分析儀采購(XDH22055D)公開招標公告

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對并聯(lián)均流的影響

中科院長春光機所梁靜秋團隊在紅光Micro-LED光電特性研究獲進展

華中科技大學半導(dǎo)體器件特性分析儀采購項目中標結(jié)果公告

清華大學10兆瓦高溫氣冷堆超高溫特性實驗氣體采樣和分析系統(tǒng)成套設(shè)備競爭性磋商

北理工在鈣鈦礦晶體的消色差1/4波片特性研究方面取得突破進展

【CASICON 2021】西安交通大學李強：大面積hBN薄膜制備及電阻開關(guān)特性研究

【CASICON 2021】南京郵電大學張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

極具潛力的半導(dǎo)體材料，硫化鉑光電特性研究獲新突破

云大半導(dǎo)體材料硫化鉑光電特性研究獲新突破，助力大面積電子器件發(fā)展

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中山大學黎城朗：凹槽深度對GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學特性的影響研究

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