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氮化鎵功率電子器件技術進展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術進展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術進展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術分會日程出爐|IFWS 2024前瞻

CASICON晶體大會前瞻|西安電子科技大學宋慶文：碳化硅電子器件技術若干新進展

北大團隊新型器件技術加速GaN進入工業(yè)與汽車應用

IFWS 2023│九峰山實驗室袁俊：新型碳化硅溝槽器件技術研究進展

IFWS 2023│追蹤氮化鎵功率電子器件技術新進展

IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大學教授陳敬：面向功率、射頻和數(shù)字應用的氮化鎵器件技術

IFWS 2023前瞻│氮化鎵功率電子器件技術分會日程出爐

IFWS 2023前瞻│氮化鎵射頻電子器件技術分會日程出爐

中電科第五十五研究所黃潤華：SiC MOSFET器件技術現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進展

【CASICON 2023 西安站】西安電子科技大學副校長張進成：寬禁帶半導體射頻和功率器件技術新進展

CASICON 2023前瞻中電科55所黃潤華：SiC MOSFET器件技術現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進展

揚杰科技與東南大學簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共建寬禁帶功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心

揚杰科技將與東南大學共建寬禁帶功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心

美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis：碳化硅功率半導體器件技術

賽道火熱+現(xiàn)場火爆，聚焦碳化硅功率電子器件技術新風向

5G乘風破浪，聚焦射頻電子材料與器件技術新進展

IFWS：氮化鎵功率電子器件技術研究進展

IFWS：碳化硅功率電子器件技術進展追蹤

IFWS：超寬禁帶半導體材料與器件技術最新進展

開年盛會 | 固態(tài)紫外材料與器件技術分論壇嘉賓報告日程出爐——IFWS&SSLCHINA前瞻

IFWS 2022前瞻：射頻電子材料與器件技術分會日程公布

IFWS 2022前瞻：超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件技術分會日程公布

賽晶科技：以自研IGBT、SiC等器件技術推動發(fā)電領域的清潔替代

華微電子：積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體器件技術

IFWS 2022前瞻：氮化鎵功率電子材料與器件技術新進展

碳化硅功率器件技術綜述與展望

應用潛力不斷釋放固態(tài)紫外材料與器件技術最新進展

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