亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

CASA立項“氮化鋁晶片位錯密度檢測方法腐蝕坑密度測量法”等2項氮化鋁團體標(biāo)準(zhǔn)

長鑫存儲申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

總投資30億元！盤古半導(dǎo)體多芯片高密度板級扇出先進封裝項目喜封金頂

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應(yīng)用的激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應(yīng)用的激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

濟大新成果：氟氯共摻雜對石墨烯的表面電荷調(diào)控用于構(gòu)建超穩(wěn)定、大能量密度的微型超級電容器

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，實現(xiàn)高密度封裝

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評第二次公示

全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布

興航科技高可靠高密度封裝項目通線投產(chǎn)

興航科技半導(dǎo)體芯片高可靠高密度封裝項目投產(chǎn)

國內(nèi)首個6.5千伏碳化硅器件及高功率密度電力電子變壓器通過技術(shù)鑒定

盛合晶微超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項目暨J2C廠房開工

北京大學(xué)申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實現(xiàn)電流密度的增加

揚杰科技申請高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

甬矽電子擬投資建設(shè)高密度及混合集成電路封裝測試項目

鈦金Plus！納微超高功率密度CPRS185 3.2kW服務(wù)器電源方案全解析

長電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案即將在國內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)

泰克攜手芯源系統(tǒng)(MPS)助力高效率高功率密度電源應(yīng)用

郝躍院士：功率密度與輻照問題是氮化物半導(dǎo)體的兩大挑戰(zhàn)

郝躍院士：功率密度與輻照問題是氮化物半導(dǎo)體的兩大挑戰(zhàn)

長電科技：年產(chǎn)100億塊通信用高密度混合集成電路及模塊封裝項目部分產(chǎn)線開始小批量驗證生產(chǎn)

投資30億元的高密度倒裝芯片項目進入設(shè)備安裝調(diào)試階段

簡述通過柵極驅(qū)動器提高開關(guān)電源功率密度

北京大學(xué)集成電路學(xué)院高密度等離子刻蝕系統(tǒng)采購項目公開招標(biāo)公告

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級聯(lián)905nm VCSEL

簡述使用不同類型GaN FET 設(shè)計提高系統(tǒng)設(shè)計功率密度

廣汽埃安超高性能SiC電驅(qū)成功下線，功率密度國內(nèi)領(lǐng)先

SIP集成電路高端制造項目、南亞新一代高精密度IC載板項目簽約昆山開發(fā)區(qū)

第1頁/共3頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<blockquote id="ggkg6"></blockquote><cite id="ggkg6"></cite>