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全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸
氧化
鎵單晶,開啟第四代半導(dǎo)體
氧化
鎵新時(shí)代
評(píng)論 ?
2025-03-05 16:44
鎵仁半導(dǎo)體董事長(zhǎng)張輝:大尺寸高質(zhì)量
氧化
鎵單晶材料進(jìn)展 | CASICON重慶站
評(píng)論 ?
2025-03-04 16:48
CASICON重慶站:全面聚焦氮化鎵、
氧化
鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展
評(píng)論 ?
2025-02-28 17:39
研制成功!我國(guó)團(tuán)隊(duì)在
氧化
鎵日盲光電探測(cè)器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-02-28 09:30
新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸
氧化
鎵單晶導(dǎo)電型摻雜
評(píng)論 ?
2025-02-13 10:51
鎵仁半導(dǎo)體
氧化
鎵單晶生長(zhǎng)突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表
評(píng)論 ?
2025-02-11 09:20
一批半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約衢州 涉及
氧化
鎵、氮化鋁單晶襯底等
評(píng)論 ?
2025-02-07 16:51
鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸
氧化
鎵單晶
評(píng)論 ?
2025-01-09 17:12
半導(dǎo)體所在基于
氧化
鎵的日盲紫外偏振光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-12-30 15:35
杭州鎵仁半導(dǎo)體
氧化
鎵襯底技術(shù)突破,助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管
評(píng)論 ?
2024-12-30 07:45
寧波材料所與鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)金剛石/
氧化
鎵異質(zhì)結(jié)器件突破
評(píng)論 ?
2024-12-26 14:22
長(zhǎng)光華芯“一種釋放
氧化
應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)
評(píng)論 ?
2024-12-26 09:16
上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利,提升材料抗
氧化
性
評(píng)論 ?
2024-12-20 16:05
揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利,改善溝槽MOSFET柵
氧化
層可靠性
評(píng)論 ?
2024-12-19 14:49
上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基
氧化
鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-12-17 16:04
鎵和半導(dǎo)體李山:
氧化
鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究
評(píng)論 ?
2024-12-12 15:51
張道華院士:超寬禁帶半導(dǎo)體
氧化
鎵和氮化鋁特性研究
評(píng)論 ?
2024-12-06 15:12
杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)直拉法2英寸N型
氧化
鎵單晶生長(zhǎng)
評(píng)論 ?
2024-11-29 09:51
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在
氧化
鎵理論研究方面取得重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-11-11 15:08
富加鎵業(yè)
氧化
鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證
評(píng)論 ?
2024-10-30 20:06
鎵仁半導(dǎo)體:鑄造法成功生長(zhǎng)超厚6英寸
氧化
鎵單晶!
評(píng)論 ?
2024-10-29 19:59
鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸
氧化
鎵單晶
評(píng)論 ?
2024-10-27 22:32
日本FOX公司計(jì)劃2028年量產(chǎn)6英寸
氧化
鎵晶圓
評(píng)論 ?
2024-10-21 17:07
杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)
氧化
鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利,減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生
評(píng)論 ?
2024-10-21 10:26
鎵仁半導(dǎo)體推出
氧化
鎵專用長(zhǎng)晶設(shè)備
評(píng)論 ?
2024-09-23 15:22
龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利,避免出現(xiàn)第一
氧化
層過(guò)薄
評(píng)論 ?
2024-09-19 17:07
富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸
氧化
鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開工
評(píng)論 ?
2024-09-14 15:51
鎵仁半導(dǎo)體成功研制
氧化
鎵超薄6英寸襯底
評(píng)論 ?
2024-09-12 10:48
總投資8.97億!雅克科技擬建設(shè)球形硅微粉、球形
氧化
鋁項(xiàng)目
評(píng)論 ?
2024-08-29 16:49
上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬
氧化
物柵介質(zhì)晶圓
評(píng)論 ?
2024-08-08 11:10
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