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晶旭半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計(jì)劃實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬(wàn)片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

第四代半導(dǎo)體迎來(lái)新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

山東大學(xué)徐明升：SiC的高溫氧化研究

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

IFWS 2023│臺(tái)灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測(cè)器的開發(fā)

SSLCHINA2023│河北工業(yè)大學(xué)徐庶：量子點(diǎn)氧化物復(fù)合材料的制備及LED應(yīng)用

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測(cè)器的低溫制備技術(shù)

國(guó)際上首次！基于晶圓級(jí)高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)已報(bào)道的最高截止頻率氧化鎵射頻器件

一顆碳化硅芯片，可節(jié)省一噸二氧化碳當(dāng)量！

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

廈門大學(xué)張洪良和上海光機(jī)所齊紅基團(tuán)隊(duì)在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)：氧化鎵功率器件研究成果

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)張茂林：氧化鎵材料生長(zhǎng)與陣列探測(cè)器研究

廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究

西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測(cè)器的研究

中國(guó)電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測(cè)器的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

重點(diǎn)研發(fā)“卡脖子”項(xiàng)目，同濟(jì)大學(xué)氧化鎵材料項(xiàng)目簽約江蘇無(wú)錫

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目簽約無(wú)錫高新區(qū)

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目落地江蘇省無(wú)錫市高新區(qū)

【國(guó)際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

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