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美國研究團隊：它或是最好的半導(dǎo)體材料

招聘：中科院寧波材料所氧化物半導(dǎo)體方向誠聘副研究員和博士后

西電杭州研究院與晶華微共建的模擬信號鏈集成電路聯(lián)合實驗室揭牌

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

SSLCHINA：聚焦教育照明與健康光環(huán)境研究進展

IFWS：氮化鎵功率電子器件技術(shù)研究進展

IFWS：碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)前沿研究

簡述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機理研究進展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團隊利用藍紫光LED泵浦實現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

深圳大學(xué)劉新科團隊、中科院微電子研究所黃森團隊項目獲2022中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎二等獎

東大團隊研究成果榮膺2022年度“中國半導(dǎo)體十大研究進展”

2022年度中國半導(dǎo)體十大研究進展

清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進展

上海光機所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進展

工信部再提元宇宙、量子科技，將研究制定未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃

長春應(yīng)化所在晶態(tài)有機發(fā)光二極管研究中取得重要進展

成都岷山功率半導(dǎo)體技術(shù)研究院完成2000萬首輪融資

東南大學(xué)兩項研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會IEDM

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

中國科大在低維光伏材料點缺陷性質(zhì)研究中取得新進展

清華大學(xué)研究團隊合作利用激光加工氮化硼實現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進展

武大研究團隊實現(xiàn)24.1%高效率鈣鈦礦近紅外發(fā)光LED

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應(yīng)晶體管器件

復(fù)旦大學(xué)研究團隊合作發(fā)明晶圓級硅基二維互補疊層晶體管

湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院在二維半導(dǎo)體超薄介電層集成技術(shù)研究取得重要進展

中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院發(fā)布兩項半導(dǎo)體國際標(biāo)準(zhǔn)

廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組在半導(dǎo)體能谷調(diào)控方面取得重要進展

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