亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

工信部：高級(jí)自動(dòng)駕駛技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)新的重大突破

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

國產(chǎn)半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，已通過量產(chǎn)驗(yàn)證！

電子科大國家工程技術(shù)研究中心在二維單相多鐵方向取得重大突破

808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片取得重大突破

中韓科研人員在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

全球首顆！我國芯片領(lǐng)域取得重大突破！

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面取得重大突破

國產(chǎn)8英寸SiC設(shè)備獲重大突破！

全面量產(chǎn)！合盛硅業(yè)半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目取得重大突破

三安光電：碳化硅襯底已批量銷售，汽車客戶合作獲重大突破

湖南三安：碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量銷售，汽車客戶合作取得重大突破

重大突破！科友半導(dǎo)體碳化硅躋身8吋行列，晶體無缺陷最大直徑超過204毫米

中國電科46所氮化鋁單晶材料關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破

重大突破 | 國內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破！

至芯半導(dǎo)體在日盲深紫外器件方面獲重大突破，單顆芯片發(fā)射功率創(chuàng)紀(jì)錄達(dá)到210mW

三安光電2021年?duì)I收首破百億，三安集成業(yè)務(wù)取得重大突破！

清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破

重大突破！碳化硅量子比特刷新紀(jì)錄：量子態(tài)保持超5秒，信號(hào)增強(qiáng)萬倍

我國半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割技術(shù)重大突破：100nm 提升至 50nm

全球首次日本芯片迎來重大突破，成功量產(chǎn)氧化鉀100mm晶圓

1納米以下制程重大突破！臺(tái)積電等研發(fā)出“鉍”密武器

中環(huán)股份 12 英寸晶圓取得重大突破，將投資 120 億元建廠

無人駕駛AI主控芯片不遠(yuǎn)，國內(nèi)光刻機(jī)迎重大突破

重大突破！科學(xué)家發(fā)現(xiàn)“拱形”納米硅陽極可大大提高鋰離子電池容量

我國在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得重大突破

京東方高分辨率QLED重大突破：顛覆AMOLED的下一代顯示技術(shù)

中國電科高能離子注入機(jī)研制獲重大突破系芯片制造核心裝備

聯(lián)系客服投訴反饋頂部