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斯達(dá)微電子高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片項(xiàng)目設(shè)備搬入

清純半導(dǎo)體推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片

昆明理工大學(xué)在溶液法生長(zhǎng)高純3C-SiC晶體研究方面取得進(jìn)展

CASA立項(xiàng)11項(xiàng)SiC MOSFET測(cè)試類(lèi)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

熾芯微電開(kāi)業(yè)！專(zhuān)注于SiC塑封功率模塊封測(cè)

索尼銀行投資三菱機(jī)電300億日元債券，擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

博藍(lán)特SiC襯底項(xiàng)目落地江蘇丹陽(yáng) 總投資10億元

意法半導(dǎo)體與致瞻科技就SiC達(dá)成合作！

年產(chǎn)SiC功率模塊240萬(wàn)個(gè)，大江半導(dǎo)體投38億建設(shè)SiC項(xiàng)目

泰科天潤(rùn)：深耕SiC產(chǎn)業(yè)14年，行穩(wěn)致遠(yuǎn)，進(jìn)而有為

三安宣布進(jìn)軍美洲市場(chǎng)，為市場(chǎng)提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

英飛凌與SiC晶圓供應(yīng)商SK Siltron CSS簽署供應(yīng)協(xié)議

廈門(mén)市翔安區(qū)-6-8英寸SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目可行性研究報(bào)告

中國(guó)電科第四十八研究所40臺(tái)SiC外延設(shè)備成功Move in

安森美和理想汽車(chē)?yán)m(xù)簽長(zhǎng)期供貨協(xié)議，共同打造下一代800V智能電動(dòng)車(chē)

安森美發(fā)布九款全新EliteSiC功率集成模塊

SiC晶圓代工龍頭X-Fab宣布：收購(gòu)MOSFET廠商M-MOS Semiconductor

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

益中封裝擴(kuò)建車(chē)規(guī)Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線(xiàn)

清純半導(dǎo)體完成數(shù)億元Pre-B輪融資

中車(chē)新能源汽車(chē)SiC電驅(qū)產(chǎn)品突破百萬(wàn)臺(tái)大關(guān)

廈門(mén)大學(xué)張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

山東大學(xué)徐明升：SiC的高溫氧化研究

九峰山實(shí)驗(yàn)室全面布局SiC溝槽器件能力

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

多倫多大學(xué)吳偉東：用于電動(dòng)汽車(chē)的液冷GaN和SiC功率模塊

山大華天遲恩先：SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用

合肥世紀(jì)金芯與湖南S公司達(dá)成戰(zhàn)略合作，圍繞SiC單晶襯底展開(kāi)合作

中國(guó)一汽大灣區(qū)研發(fā)院揭牌，聚焦SiC功率半導(dǎo)體等方向

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