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本土廠商國(guó)電南瑞實(shí)現(xiàn)中高壓IGBT自主化

日期:2021-08-27 閱讀:733
核心提示:國(guó)電南瑞在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司自主設(shè)計(jì)研發(fā)IGBT芯片及模塊,已成功打造部分高壓、中壓系列自主IGBT產(chǎn)品。
 近日,國(guó)電南瑞在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司自主設(shè)計(jì)研發(fā)IGBT芯片及模塊,已成功打造部分高壓、中壓系列自主IGBT產(chǎn)品。
 
國(guó)電南瑞是以能源電力智能化為核心的能源互聯(lián)網(wǎng)整體解決方案提供商,是我國(guó)能源電力及工業(yè)控制領(lǐng)域卓越的IT企業(yè)和電力智能化領(lǐng)軍企業(yè)。國(guó)電南瑞科技股份有限公司成立于2001年2月28日,由南瑞集團(tuán)作為主發(fā)起人,2003 年9 月在上海證券交易所上市。
 
歷經(jīng)多年自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,形成智能發(fā)電、智能輸電、智能變電、智能配電、智能用電以及綜合能源等全方位解決方案。歷經(jīng)多年自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,公司發(fā)展成為市值規(guī)模達(dá)1800億元的板塊龍頭上市公司。
 
截止2020 年底,公司擁有電網(wǎng)自動(dòng)化及工業(yè)控制、繼電保護(hù)及柔性輸電、電力自動(dòng)化信息通信、發(fā)電及水利環(huán)保四大業(yè)務(wù)板塊,下設(shè)1 個(gè)研究院、4 個(gè)事業(yè)部,15 家分公司、26 家子公司。
 
據(jù)了解,IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目是國(guó)電南瑞發(fā)展重點(diǎn)之一。2018年國(guó)電南瑞已完成1200伏/50安IGBT、FRD流片。2019年11月,國(guó)電南瑞與全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司合作,控股組建南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限責(zé)任公司。當(dāng)時(shí)國(guó)電南瑞公告稱,其中,國(guó)電南瑞以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的部分募集資金5.59億元出資,持股比例為69.83%;聯(lián)研院以技術(shù)作價(jià)出資2.41億元,持股比例為30.17%。
 
2020年,國(guó)電南瑞推進(jìn)南瑞聯(lián)研科技成果轉(zhuǎn)化,加快IGBT封裝測(cè)試生產(chǎn)線建設(shè)和自主3300V IGBT芯片模塊研發(fā)及工程應(yīng)用。當(dāng)年9月,國(guó)電南瑞在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司IGBT項(xiàng)目正處于芯片設(shè)計(jì)研發(fā)、模塊封裝測(cè)試及生產(chǎn)線建設(shè)階段。
 
南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司是國(guó)家電網(wǎng)公司發(fā)展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的統(tǒng)一平臺(tái),擁有功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試、工程應(yīng)用的全流程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化能力。依托南瑞集團(tuán)和全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院技術(shù)產(chǎn)業(yè)聯(lián)合優(yōu)勢(shì),在電力以及其他領(lǐng)域開(kāi)展功率半導(dǎo)體器件研發(fā)和制造,提供功率半導(dǎo)體芯片及其應(yīng)用的整體解決方案。圍繞“三型兩網(wǎng)”發(fā)展戰(zhàn)略需求,在交直流柔性輸電、新能源發(fā)電、電能質(zhì)量治理、用電及節(jié)能等領(lǐng)域開(kāi)展功率半導(dǎo)體器件自主設(shè)計(jì),并逐步拓展到電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)控制等專業(yè)領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件的國(guó)產(chǎn)化替代。
 
南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體公司建立了一支以高端功率半導(dǎo)體專家為帶頭人,以具備行業(yè)背景的資深工程師為骨干,專業(yè)齊全、與應(yīng)用深度融合的頂尖團(tuán)隊(duì)。高起點(diǎn)推進(jìn)國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體芯片及模塊的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品研制和標(biāo)準(zhǔn)制定,承擔(dān)國(guó)家02重大專項(xiàng)、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目等科技項(xiàng)目40多項(xiàng),自主研發(fā)了1200V至4500V的IGBT、FRD芯片及模塊,擁有授權(quán)專利20多項(xiàng),1200V/600A半橋模塊達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。順應(yīng)“兩網(wǎng)”融合發(fā)展趨勢(shì),在深刻理解電網(wǎng)專業(yè)裝備研發(fā)及應(yīng)用需求的基礎(chǔ)上,基于 IGBT等功率半導(dǎo)體器件,自主研發(fā)了國(guó)際領(lǐng)先的柔性直流換流閥、世界首套統(tǒng)一潮流控制器(UPFC)、國(guó)內(nèi)首個(gè)虛擬同步機(jī)等電網(wǎng)關(guān)鍵裝備。
 
南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體公司建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整產(chǎn)業(yè)鏈,建成了包括功率器件動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試平臺(tái)、可靠性測(cè)試平臺(tái)和極限能力測(cè)試平臺(tái)的電力系統(tǒng)電力電子器件實(shí)驗(yàn)室及中試線,擁有國(guó)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的高能離子注入機(jī)和激光退火設(shè)備,形成了年產(chǎn)15000片硅晶圓和5000只IGBT模塊加工能力。通過(guò)上市公司募集16.4億元IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展資金,投資近2億元建設(shè)IGBT封裝測(cè)試生產(chǎn)線,建成后將形成年產(chǎn)20萬(wàn)片IGBT模塊生產(chǎn)能力,整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
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