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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

山東大學成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

合肥工業(yè)大學在可重定義微波無源器件研究領(lǐng)域取得新進展

韓科研團隊研發(fā)新一代半導體氣敏傳感器

深圳大學劉新科研究員團隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

山東大學與南砂晶圓團隊實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底制備

解析電子封裝陶瓷基板

東南大學牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

一文了解金剛石半導體

南京大學科研團隊在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破！

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強型氮化鎵HEMTs

簡述晶圓級多層堆疊封裝技術(shù)

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設(shè)備

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

南京大學余林蔚教授課題組實現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細晶硅納米線可靠生長集成

面向可重構(gòu)整流電路的互補型柵控PN結(jié)電路研究

簡述晶圓級多層堆疊技術(shù)

高導熱金剛石/銅復合材料的制備與界面調(diào)控研究進展

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

一文讀懂氧化鎵半導體

WOLFSPEED：?使用碳化硅進行雙向車載充電機設(shè)計

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計方法

哈爾濱工業(yè)大學科研團隊通過選擇性生長方法制備了準垂直金剛石肖特基二極管

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測試分析

打破電動汽車“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級？

二維金剛石的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)若干進展

中科院合肥研究院安光所團隊在高分辨率激光外差光譜技術(shù)研究方面取得新進展

高導熱金剛石材料的制備及器件應(yīng)用進展

郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

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