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Science：AI驅(qū)動(dòng)閉環(huán)設(shè)計(jì)，加速高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

北京大學(xué)深圳研究生院在高性能低維柔性電子集成方向取得重要進(jìn)展

我國高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

唐為華教授團(tuán)隊(duì)通過熱重排工程和能帶調(diào)制實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的 Ga?O? 日盲光敏性能

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

中科院半導(dǎo)體研究所公開一項(xiàng)集成光子芯片專利可提升光模塊性能

廈大曹陽教授團(tuán)隊(duì)在單原子層六方氮化硼用于提升析氧反應(yīng)性能研究方面取得進(jìn)展

Chiplet成半導(dǎo)體性能提升重要路徑

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過技術(shù)鑒定

西安郵電大學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成功制備高耐壓性能半導(dǎo)體材料

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

金剛石物理性能調(diào)控研究進(jìn)展

中國科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進(jìn)展

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

中科院蘇州納米所趙志剛團(tuán)隊(duì)Analytical Chemistry：量子點(diǎn)尺寸調(diào)控實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體SERS基底性能提升和無機(jī)小分子檢測

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

中科院物理所陸凌團(tuán)隊(duì)研制出了性能指標(biāo)具佳的拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器

郭浩中教授、劉新科研究團(tuán)隊(duì)在Micro-LED背光模組研究中獲得新進(jìn)展，均勻度性能提升32%

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)與華為合作成功研制智能表面新架構(gòu)助力5G網(wǎng)絡(luò)性能提升

TCL華星開發(fā)全新量子點(diǎn)圖案化技術(shù)：大于 1000PPI

《自然》子刊：分子橋解決半導(dǎo)體缺陷，提高導(dǎo)電性及整體性能

比亞迪啟動(dòng)碳中和規(guī)劃研究！推出高性能碳化硅芯片

福建物構(gòu)所高性能層狀雜化鈣鈦礦鐵電半導(dǎo)體研究獲進(jìn)展

InGaN μLED外部量子效率改進(jìn)最新研究成果有望消除高性能μLED發(fā)展瓶頸

中芯國際12nm工藝已開始試產(chǎn)：功耗降低20%、性能提升10%

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