亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

西安交大科研人員揭示弱光有機(jī)光伏器件中光電流高估的機(jī)理

比亞迪擬研發(fā)自動駕駛芯片

高功率大能量飛秒脈沖激光技術(shù)現(xiàn)狀和未來發(fā)展趨勢

上海交大電院周健軍教授課題組在模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片研究中取得重要進(jìn)展

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進(jìn)展

淺述IGBT在高功率環(huán)境中的散熱方法

西安交大云峰教授團(tuán)隊在超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

在納米圖案化藍(lán)寶石襯底（NPSS）上實現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

GaN基紫外半導(dǎo)體激光器

Wolfspeed：SiC 功率模塊最大限度提高有源前端效率

中科院半導(dǎo)體所在硅基鍺錫中紅外探測器方面取得進(jìn)展

廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊與乾照光電合作在提升綠光LED效率方面獲重大進(jìn)展

中國團(tuán)隊開發(fā)出一體化Micro LED器件目標(biāo)是顯示和光學(xué)近場通信功能

大功率芯片研制獲突破

中國科學(xué)家在鍺錫材料分子束外延方面取得重要進(jìn)展

碳化硅功率器件在車載充電機(jī) OBC中的應(yīng)用簡述

微型成像系統(tǒng)應(yīng)用的介質(zhì)超構(gòu)透鏡進(jìn)展及挑戰(zhàn)

大型電動汽車中電機(jī)控制器IGBT模塊驅(qū)動電路的設(shè)計思路簡述

加州大學(xué)伯克利分校研究人員開發(fā)出一種新型半導(dǎo)體激光器

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

復(fù)旦大學(xué)盧紅亮課題組在柔性氧化鎵光電探測器方面取得重要研究進(jìn)展實現(xiàn)超靈敏的深紫外光探測率

高壓大功率芯片封裝的散熱研究與仿真分析

英特爾研究院最新研究在多波長集成光學(xué)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

我國研究者開發(fā)AlNO新型緩沖層，提升綠光LED效率方面獲重大進(jìn)展

突破！世界首個原子級量子集成電路推出

4H-SiC紫外光電探測器最新成果

技術(shù)分享 | GaN器件驅(qū)動及簡化柵極驅(qū)動設(shè)計的方法

SiC 動態(tài)表征和測量方法簡述

西安交大在氧化物薄膜外延領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

三星計劃三年內(nèi)打造 3 納米 GAA（Gate-all-around）工藝

第18頁/共33頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部