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鎵仁半導體董事長張輝：大尺寸高質量氧化鎵單晶材料進展 | CASICON重慶站

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導體技術及應用發(fā)展

一批半導體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

杭州鎵仁半導體氧化鎵襯底技術突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

長光華芯“一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權

上海瑞華晟申請SiC/SiC復合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

鎵和半導體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

張道華院士：超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

杭州鎵仁半導體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

鎵仁半導體推出氧化鎵專用長晶設備

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導體器件制備方法相關專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

鎵仁半導體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

總投資8.97億！雅克科技擬建設球形硅微粉、球形氧化鋁項目

新突破︱鎵仁半導體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

CASICON晶體大會前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

銘鎵半導體在氧化鎵材料開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破

廈門大學團隊在第四代半導體氧化鎵材料外延和深紫外探測應用領域研究取得重要進展

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學周賢達：非晶氧化物半導體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn)

6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

晶旭半導體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計劃實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片ε相氧化鎵外延片（壓電領域用）

第四代半導體迎來新進展相關A股公司搶抓“新風口”

山東大學徐明升：SiC的高溫氧化研究

IFWS 2023│臺灣成功大學李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│廈門大學徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結構調制以及日盲光電探測器的開發(fā)

SSLCHINA2023│河北工業(yè)大學徐庶：量子點氧化物復合材料的制備及LED應用

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