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一顆碳化硅芯片，可節(jié)省一噸二氧化碳當(dāng)量！

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)張茂林：氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

重點(diǎn)研發(fā)“卡脖子”項(xiàng)目，同濟(jì)大學(xué)氧化鎵材料項(xiàng)目簽約江蘇無錫

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目簽約無錫高新區(qū)

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目落地江蘇省無錫市高新區(qū)

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

CASICON 2023長沙站：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展探討

鎵仁半導(dǎo)體完成數(shù)千萬天使輪融資，加速氧化鎵中試線研發(fā)等

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體，暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

國內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

敏源傳感的氮氧化物調(diào)理芯片MY9706通過車規(guī)級HTOL認(rèn)證

國內(nèi)第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來

招聘：中科院寧波材料所氧化物半導(dǎo)體方向誠聘副研究員和博士后

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

A 輪融資近億元！銘鎵半導(dǎo)體將建國內(nèi)首條氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線

一文了解第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵(Ga2O3)

中國研發(fā)再突破！15億美元的氧化鎵市場如何引發(fā)多國博弈？

未來10年左右，氧化鎵器件或成為有競爭力的電力電子器件

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