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安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

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國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)

北京大學(xué)申請(qǐng)長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

廈門(mén)大學(xué)團(tuán)隊(duì)演示可同步輻射正交線偏振綠光的半極性InGaN基MCLED

南京大學(xué)莊喆：基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

IFWS 2023│臺(tái)灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

西安交通大學(xué)李虞鋒：SNOM對(duì)GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征

CASICON西安前瞻| 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所青年研究員梁鋒：大功率GaN基藍(lán)光激光器研究進(jìn)展

CASICON西安站前瞻|AlGaN基深紫外LED局域化光電性能研究

CASICON 2023前瞻北京大學(xué)副教授許福軍：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件研究

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)獲得立項(xiàng)

中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

中國(guó)工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究

北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍(lán)寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響

IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在硅襯底GaN基縱向功率器件方面取得新進(jìn)展

【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院陳鵬教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

廈門(mén)三安光電張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進(jìn)展

天津工業(yè)大學(xué)于莉媛：GaN基器件電子輻照誘生缺陷表征和性能分析

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