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利用SiC模塊進行電動壓縮機設計要點

華潤微：目前產(chǎn)能利用率滿載，已對部分MOSFET、IGBT等產(chǎn)品加價

總投資10億元，化合物半導體碳化硅材料和固廢綜合利用砷化鎵襯底項目簽約

華虹半導體一季度研發(fā)費用穩(wěn)步增長產(chǎn)能利用率突破90%

華潤微：產(chǎn)能利用率8英寸保持90%以上，6英寸保持95%以上

立昂微：杭州基地的射頻芯片產(chǎn)能為9萬片/年 2024年預計產(chǎn)能利用率有望達到80%以上

瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術(shù)擴展電源產(chǎn)品陣容

IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體

利用激光垂直剝離突破碳化硅SiC切割成本與效率，晶飛半導體獲數(shù)千萬元天使輪融資

SSLCHINA2023│北京大學教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率InGaN紅光

SEMI：全球IDM和晶圓代工利用率低于80%

工信部：盡快出臺新能源汽車動力蓄電池回收利用管理辦法

國家發(fā)改委等部門：促進退役風電、光伏設備循環(huán)利用

英偉達創(chuàng)始人黃仁勛：未能充分利用人工智能的公司將會消亡

美國計劃利用《芯片法案》資金創(chuàng)建至少兩個半導體制造業(yè)集群

廈大研究團隊利用藍紫光LED泵浦實現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導放大器

清華大學研究團隊合作利用激光加工氮化硼實現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設備

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

大阪大學、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

中山大學江灝：利用界面效應的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測應用

商務部發(fā)布“十四五”利用外資發(fā)展規(guī)劃：放寬重點領域準入門檻

工信部：將進一步完善新能源汽車動力電池回收利用管理制度

凈利潤大增398.5%，Q2中芯國際產(chǎn)能利用率達100.4%

產(chǎn)能利用率超100% 聯(lián)電第二季度營收新臺幣509.08億元

中芯國際：一季度整體產(chǎn)能利用率為98.7% 擬擴建1萬片12英寸和4.5萬片8英寸晶圓產(chǎn)能

中芯國際：目前芯片制造供不應求 Q1整體產(chǎn)能利用率達98.7%

執(zhí)行反托拉斯法 FTC指控蘋果供應商博通公司非法利用市場力量壟斷芯片行業(yè)

復旦大學田朋飛課題組首次利用micro-LED集成芯片實現(xiàn)水下雙工無線光通信和水下充電集成系統(tǒng)構(gòu)建

科學家利用技術(shù)突破實現(xiàn)實用的半導體自旋電子技術(shù)

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