亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<fieldset id="iww8e"></fieldset>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

中國首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

一文讀懂氧化鎵半導(dǎo)體

郝躍院士團(tuán)隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

A 輪融資近億元！銘鎵半導(dǎo)體將建國內(nèi)首條氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線

復(fù)旦大學(xué)盧紅亮課題組在柔性氧化鎵光電探測器方面取得重要研究進(jìn)展實現(xiàn)超靈敏的深紫外光探測率

一文了解第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵(Ga2O3)

中國科大在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中國研發(fā)再突破！15億美元的氧化鎵市場如何引發(fā)多國博弈？

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

國際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

未來10年左右，氧化鎵器件或成為有競爭力的電力電子器件

日本團(tuán)隊合作開發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片

氧化鎵功率半導(dǎo)體6英寸新突破，成本有望大降

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

西電周弘教授：超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件最新研究進(jìn)展

國際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國際首次超越SiC理論極限

Novel Crystal Technology宣布開發(fā)出世界第一款安培級1200 V耐壓的“氧化鎵肖特基勢壘二極管”

美國康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

中科大在日盲紫外探測領(lǐng)域取得新進(jìn)展

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在氧化鎵基日盲光電探測方面取得進(jìn)展

下一代半導(dǎo)體：越走越“寬”，還是越“窄”？

第3頁/共4頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<pre id="oo44u"><cite id="oo44u"></cite></pre>

<noframes id="oo44u"><pre id="oo44u"></pre></noframes>

<s id="oo44u"><em id="oo44u"></em></s>

<pre id="oo44u"><cite id="oo44u"></cite></pre>

<s id="oo44u"><pre id="oo44u"></pre></s>

<tfoot id="oo44u"><small id="oo44u"></small></tfoot>

<nav id="oo44u"></nav>

<tfoot id="oo44u"><del id="oo44u"></del></tfoot>

<td id="oo44u"></td>

<s id="oo44u"></s>