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奕斯偉“定盤溝槽清潔裝置、清潔方法和研磨設(shè)備”專利公布

奕斯偉“晶圓倒角裝置和晶圓倒角方法”專利公布

晶合集成獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“一種半導(dǎo)體芯片的測試裝置”

馳芯半導(dǎo)體“一種用于UWB的定時(shí)恢復(fù)方法及裝置”專利獲授權(quán)

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

中科新源半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體芯片升降溫用微射流換熱裝置”專利公布

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準(zhǔn)度

江西兆馳半導(dǎo)體取得用于藍(lán)寶石襯底的清洗裝置專利，方便收集清洗后的廢液

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

格力電器獲得發(fā)明專利授權(quán)：“IGBT模塊保護(hù)裝置、IGBT模塊及變頻器”

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體模塊裝置及其制作方法專利，實(shí)現(xiàn)材料固化形成固體層等操作

長園半導(dǎo)體設(shè)備取得芯片取料裝置和芯片生產(chǎn)系統(tǒng)專利，有效提高產(chǎn)品從膜片上取料的成功率

比亞迪半導(dǎo)體“存儲器測試方法、存儲器測試裝置、存儲介質(zhì)和電子設(shè)備”專利公布

北方華創(chuàng)“上電極裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

華海清科“晶圓干燥裝置和晶圓干燥方法”專利公布

上海積塔半導(dǎo)體取得晶圓承載裝置及應(yīng)用其的半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，避免晶圓拿取時(shí)破碎

北方華創(chuàng)“一種晶圓位置檢測裝置及半導(dǎo)體設(shè)備”專利公布

無錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動(dòng)裝置專利，實(shí)現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體取得定位裝置專利，能夠具有較低的成本

北方華創(chuàng)“工藝配方的管理控制方法、裝置及半導(dǎo)體設(shè)備”專利公布

山東粵海金半導(dǎo)體取得專用碳化硅襯底Wafer倒角裝置專利，可實(shí)現(xiàn)自由設(shè)計(jì)倒角形狀

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

華海清科“驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質(zhì)”專利公布

江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致

武漢新芯取得清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備專利，去除晶圓邊緣殘留物避免影響后續(xù)工藝

芯源微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“晶圓搬運(yùn)裝置及晶圓搬運(yùn)方法”

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