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中微公司MOCVD項(xiàng)目簽約南昌，專注GaAs基紅黃光LED應(yīng)用

半導(dǎo)體所等在砷化鎵（GaAs）中產(chǎn)生自旋極化研究方面取得進(jìn)展

三星宣布2025年推出首個(gè)GAA制程先進(jìn)封裝

GAA 晶體管繼任者？復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)公布CFET新進(jìn)展！

中科院物理所在集成有亞波長(zhǎng)光柵的臺(tái)面型InGaAs基短波紅外偏振探測(cè)器取得進(jìn)展

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長(zhǎng)集成

三星宣布3納米芯片正式開(kāi)始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

三星計(jì)劃三年內(nèi)打造 3 納米 GAA（Gate-all-around）工藝

中國(guó)科大?InGaAs單光子探測(cè)芯片設(shè)計(jì)制造領(lǐng)域重要進(jìn)展

InGaAs單光子探測(cè)芯片設(shè)計(jì)制造領(lǐng)域重要進(jìn)展

應(yīng)用材料推出CVD升級(jí)技術(shù) 以支持GAA晶體管結(jié)構(gòu)

首次采用GAA技術(shù) 臺(tái)積電正式啟動(dòng)2nm晶圓廠建設(shè)，將于2025年投產(chǎn)

三星上半年量產(chǎn)首代3納米GAA技術(shù)制程，第二代制程研發(fā)中

【CASICON 2021】唐晶量子龔平：6 inch GaAs基VCSEL和射頻外延技術(shù)

CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和射頻外延技術(shù)

北京航天微電芯片孵化產(chǎn)業(yè)園開(kāi)工，將建GaN/GaAs射頻芯片研制線

三星：3nm GAA技術(shù)已領(lǐng)先

力拼臺(tái)積電，三星宣布3納米GAA成功流片

臺(tái)積電：3nm進(jìn)度超前，2nm將轉(zhuǎn)向GAA晶體管

臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破將切入GAA技術(shù)

軍民融合+進(jìn)口替代正當(dāng)時(shí)——世界領(lǐng)先的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器量產(chǎn)

蘇州英諾迅推出基于InGaP /GaAs HBT工藝面向Wi-Fi 6E的線性功率放大器芯片

臺(tái)灣交通大學(xué)激光60周年系列專文：介紹GaAs及GaN VCSEL

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