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比利時(shí)氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國(guó)買(mǎi)家競(jìng)購(gòu)設(shè)備資產(chǎn)

豐田合成開(kāi)發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測(cè)器取得進(jìn)展

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

華燦光電擬將GaN募投項(xiàng)目建成時(shí)間延長(zhǎng)至明年底

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

姚威振：新型MOCVD反應(yīng)器設(shè)計(jì)，促進(jìn)GaN材料創(chuàng)新發(fā)展 | IFWS&SSLCHINA2024

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開(kāi)關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開(kāi)關(guān)

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN HEMT開(kāi)關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進(jìn)展

新潔能：SiC/GaN項(xiàng)目年底竣工投產(chǎn)

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院150nmGaN芯片流片采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商公告

中科大孫海定iGaN實(shí)驗(yàn)室研究三維垂直集成microLED陣列實(shí)現(xiàn)無(wú)掩膜深紫外光刻新技術(shù)

英諾賽科GaN：開(kāi)啟高效、便攜的電子產(chǎn)品新時(shí)代

法國(guó)GaN企業(yè)獲應(yīng)用材料、臺(tái)灣工研院投資

國(guó)博電子：上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品，預(yù)計(jì)下半年開(kāi)發(fā)并應(yīng)用新一代的產(chǎn)品

信越化學(xué)面向GaN半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出大型基板

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競(jìng)購(gòu)者報(bào)價(jià)1.3億歐元

機(jī)構(gòu)：2023 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模約 2.71 億美元

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