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西安電子科技大學(xué)游淑珍：面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強 GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實際器件應(yīng)用

多倫多大學(xué)吳偉東：用于電動汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

北京大學(xué)申請GaN與碳納米管CMOS電路專利

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

IFWS 2023│臺灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│日本國立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器

IFWS 2023│南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

IFWS 2023│中國科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

CASAS正式成立SiC/GaN功率器件與模塊工作組

IFWS 2023│ 中國電子科技集團第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能

IFWS 2023│南京大學(xué)蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光電探測器的優(yōu)化設(shè)計及擊穿機理研究

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率InGaN紅光

SSLCHINA2023│廈門大學(xué)吳挺竹：基于GAN的元技術(shù)和EV的技術(shù)的最新進展

IFWS&SSLCHINA 2023重磅關(guān)注│三安將亮相并全面分享碳化硅、GaN激光器、MiniMicro-LED、UV LED等重要進展

日本開發(fā)新技術(shù)，可實現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

科研新進展 | 廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

華泰證券：SiC商業(yè)化進程領(lǐng)先GaN三年預(yù)計2026年投資擴產(chǎn)或轉(zhuǎn)向GaN

英飛凌以8.3億美元完成對氮化鎵系統(tǒng)公司 GaN Systems 的收購

晶能光電：硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

車用GaN需求攀升，國內(nèi)企業(yè)有望搶占先機！

車用GaN領(lǐng)域又一合作

IQE和VisIC宣布合作開發(fā)車用高可靠性D模式GaN功率產(chǎn)品

這兩個GaN龍頭企業(yè)公布業(yè)績情況

納微半導(dǎo)體Q2總收入增至1810萬美元，出貨1億顆GaN+1200萬顆SiC

三安半年報：SiC業(yè)務(wù)增長178.86%，900V GaN器件完成開發(fā)

西安交通大學(xué)李虞鋒：SNOM對GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征

芯港半導(dǎo)體程斌：藍寶石基GaN材料及功率器件進展

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