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寬禁帶半導(dǎo)體GaN單晶襯底項(xiàng)目、Wi-Fi Halow芯片項(xiàng)目等重大項(xiàng)目落地蘇州高新區(qū)

GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

2025年，全球SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場將增至52.9億美元

羅姆與臺達(dá)聯(lián)手開發(fā)第三代半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）功率器件

中科院半導(dǎo)體所趙德剛團(tuán)隊(duì)研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

北京大學(xué)沈波、許福軍團(tuán)隊(duì)在高Al組分AlGaN的高效p型摻雜研究中獲重要進(jìn)展

ROHM確立柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT的量產(chǎn)體制

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布Full Color GaN?全彩系列LED產(chǎn)品并打破300mm壁壘

宏光半導(dǎo)體：與GaN Systems進(jìn)行首次公開GaN的行業(yè)實(shí)地試驗(yàn)

終端市場故障率為零！GaN功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體宣布成功發(fā)貨超過四千萬顆

GaN Systems和徐州金沙江半導(dǎo)體共同展示GaN在提高數(shù)據(jù)中心效率和盈利能力方面的巨大優(yōu)勢

向單芯片的GaN器件進(jìn)軍

世界上最大的超6英寸GaN籽晶問世！

郭明錤：預(yù)計(jì)蘋果今年將發(fā)布30W快充GaN充電器，采用全新外觀設(shè)計(jì)

GaN Systems：車用GaN將在2024年爆發(fā)

賽微電子：公司一直在努力解決GaN業(yè)務(wù)的供應(yīng)問題

吳越半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略融資，曾發(fā)布厚度突破1厘米的GaN晶體

晶方科技：2000萬美元投資第三代半導(dǎo)體GaN器件設(shè)計(jì)公司VisIC

賽微電子：GaN（氮化鎵）制造產(chǎn)線正在建設(shè)中

GaN功率半導(dǎo)體的可靠性挑戰(zhàn)與應(yīng)對之策

國星三代半再出新品，SiC模塊、GaN器件、SiC功率分立器件齊上新

納微半導(dǎo)體宣布在上海成立一個(gè)電動車GaN芯片設(shè)計(jì)中心

第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)鏈基本形成

國星光電：公司第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品GaN-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機(jī)快充等

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

無錫誕生全球最薄半導(dǎo)體GaN晶體，厚度突破1厘米！

中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

南京電子器件研究所張凱：大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應(yīng)用

中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究

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