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比利時氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國買家競購設備資產(chǎn)

豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

南京郵電大學研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結構紫外光伏探測器取得進展

安徽格恩半導體申請GaN基化合物半導體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

納維達斯半導體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

華燦光電擬將GaN募投項目建成時間延長至明年底

平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術與典型應用| IFWS2024

姚威振：新型MOCVD反應器設計，促進GaN材料創(chuàng)新發(fā)展 | IFWS&SSLCHINA2024

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源

無錫博通申請半橋GaN增強型開關器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關

中國科大微電子學院在GaN HEMT開關瞬態(tài)建模方向取得新進展

新潔能：SiC/GaN項目年底竣工投產(chǎn)

中國科大微電子學院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進展

東南大學信息科學與工程學院150nmGaN芯片流片采購項目競爭性磋商公告

中科大孫海定iGaN實驗室研究三維垂直集成microLED陣列實現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術

英諾賽科GaN：開啟高效、便攜的電子產(chǎn)品新時代

法國GaN企業(yè)獲應用材料、臺灣工研院投資

國博電子：上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品，預計下半年開發(fā)并應用新一代的產(chǎn)品

信越化學面向GaN半導體開發(fā)出大型基板

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競購者報價1.3億歐元

機構：2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元

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