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揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

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CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

北京大學(xué)申請(qǐng)?zhí)蓟杵矫鏂?span id="us2suwu" class="highlight">MOSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

廈門大學(xué)張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

國星光電SiC-MOSFET器件獲得車規(guī)級(jí)認(rèn)證并通過HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核

意法半導(dǎo)體將為汽車T1廠博格華納供應(yīng)碳化硅MOSFET器件

中電科第五十五研究所黃潤華：SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

西安衛(wèi)光科技李樸：600V超結(jié)MOSFET器件研究

CASICON 2023前瞻中電科55所黃潤華：SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

銀河微電：功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)

新品 | 世紀(jì)金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

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西安電子科技大學(xué)張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

電子科技大學(xué)教授鄧小川將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會(huì) 分享極端應(yīng)力下SiC MOSFET器件動(dòng)態(tài)可靠性研究進(jìn)展

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