2021功率半導(dǎo)體與車用LED技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用論壇在上海世博展覽館成功舉辦，論壇得到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)的指導(dǎo)，以及愛(ài)發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司、吉永商事株式會(huì)社、天津賽米卡爾科技有限公司、南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司的大力支持。

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山分享了“功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與前景展望”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用、技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)。他表示，功率半導(dǎo)體已處于技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最佳時(shí)機(jī)，其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的份額將不斷增長(zhǎng)，當(dāng)前需要集中優(yōu)勢(shì)資源，突破技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化瓶頸，加速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，功率半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)還在不斷的進(jìn)步和發(fā)展，新材料、新工藝、新器件將不斷涌現(xiàn)。第三代半導(dǎo)體材料和器件，在電力變換與控制方面展現(xiàn)出優(yōu)異的性能，將極大促進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)跨入新的、更高階段。

 廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司總裁周曉陽(yáng)帶來(lái)了“碳化硅功率模塊在新能源汽車中的應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了最新發(fā)展趨勢(shì)，相關(guān)封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化思路及工藝挑戰(zhàn)等。

 北京一徑科技有限公司全球營(yíng)銷副總裁邵嘉平做了“激光雷達(dá)與自動(dòng)駕駛最新發(fā)展”的主題分享。其中，報(bào)告認(rèn)為自動(dòng)駕駛貨車商業(yè)模式清晰，有望超預(yù)期落地，無(wú)人駕駛出租車將在2025年前后達(dá)到成本拐點(diǎn)，AVP可率先實(shí)現(xiàn)高級(jí)別自動(dòng)駕駛在城市場(chǎng)景的落地，無(wú)人末端配送有望快速落地封閉小區(qū)，企業(yè)園區(qū)等場(chǎng)景，帶來(lái)成本和效率的優(yōu)化，礦區(qū)自動(dòng)駕駛是需求剛性，高確定性的落地場(chǎng)景。自動(dòng)駕駛用雷達(dá)也將有看得遠(yuǎn)、看得廣、看得準(zhǔn)等新的要求。

 南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司技術(shù)總監(jiān)雷建明做了題為“氮化鎵功率開(kāi)關(guān)器件及其在超輕薄開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的應(yīng)用研究”的主題報(bào)告，從器件、驅(qū)動(dòng)、控制、拓?fù)潆娐返确矫嫒轿惶岢鼋鉀Q方案，在實(shí)現(xiàn)超輕薄目標(biāo)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的效率和工作可靠性。

 德國(guó)賀利氏電子中國(guó)區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖帶來(lái)了“針對(duì)碳化硅功率模塊的先進(jìn)封裝解決方案”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了一套針對(duì)碳化硅功率器件的完整封裝解決方案。

 以LED車用照明、智能感測(cè)、健康智能照明、三代半U(xiǎn)VC四大核心業(yè)務(wù)，堅(jiān)持光科技，塑造健康智能新生活為使命的寧波升譜光電股份有限公司的副總經(jīng)理尹輝出席論壇，并分享了“新能源車用LED封裝技術(shù)趨勢(shì)”的主題分享。

 吉永商事株式會(huì)社社長(zhǎng)陳海龍帶來(lái)了“量產(chǎn)型SiC功率器件背面工藝技術(shù)提案”，詳細(xì)分享了具有實(shí)踐意義的背面減薄技術(shù)提案與激光退火技術(shù)提案。

 中電南方國(guó)基集團(tuán)有限公司高級(jí)工程師李士顏帶來(lái)了“功率碳化硅 MOSFET芯片及模塊研究進(jìn)展及應(yīng)用”的主題報(bào)告，他表示，國(guó)際上SiC功率器件市場(chǎng)化應(yīng)用速度提升，在電動(dòng)汽車、電源、軌道交通等領(lǐng)域的應(yīng)用將進(jìn)入爆發(fā)期，市場(chǎng)產(chǎn)值將急劇擴(kuò)張，國(guó)內(nèi)SiC功率器件迅速布局，技術(shù)進(jìn)步迅速，自主芯片國(guó)產(chǎn)替代前景廣闊。大尺寸SiC襯底、SiCMOSFET技術(shù)成熟度仍需提高，SiCMOSFET器件應(yīng)用技術(shù)提升是SiC市場(chǎng)的重要牽引。

 愛(ài)發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司市場(chǎng)總監(jiān)李茂林做了題為“碳化硅功率器件制造中ULVAC的量產(chǎn)技術(shù)”的主題報(bào)告，分享了SiC功率器件制造過(guò)程中的ULVAC設(shè)備和技術(shù)整體解決方案，詳細(xì)說(shuō)明了高溫離子注入技術(shù)、碳膜濺射技術(shù)及高溫退火技術(shù)是不同于硅基器件的特殊工藝制程。

 蘇州晶湛半導(dǎo)體科技有限公司的市場(chǎng)經(jīng)理陳宇超帶來(lái)了“應(yīng)用于功率器件的硅基GaN外延片進(jìn)展”的主題報(bào)告，結(jié)合具體的數(shù)據(jù)分享了650V應(yīng)用的D模和E模硅基GaN外延片的進(jìn)展，并介紹了面向更高電壓/電流應(yīng)用的多通道器件研究進(jìn)展。