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北大楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化鎵外延材料中位錯(cuò)的原子級(jí)攀移動(dòng)力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠(yuǎn)程外延晶體鈣鈦礦

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶方法

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強(qiáng)型電力電子器件

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

新進(jìn)展！西安交通大學(xué)實(shí)現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

廈門(mén)大學(xué)張洪良和上海光機(jī)所齊紅基團(tuán)隊(duì)在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進(jìn)展

北大許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究取得進(jìn)展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了接近體塊級(jí)質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

簡(jiǎn)述GaN 外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

國(guó)內(nèi)首家！廈門(mén)大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

簡(jiǎn)述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

長(zhǎng)平時(shí)代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

馮志紅團(tuán)隊(duì)在(001)單晶金剛石上制備了具有同質(zhì)外延層的金剛石FET

半導(dǎo)體所等研究團(tuán)隊(duì)合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進(jìn)展

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

中國(guó)科學(xué)家在鍺錫材料分子束外延方面取得重要進(jìn)展

西安交大在氧化物薄膜外延領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

多層MoS2外延晶圓推動(dòng)二維半導(dǎo)體器件應(yīng)用的研究進(jìn)展

半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商IQE開(kāi)發(fā)出全球首批8英寸VCSEL外延片

南京大學(xué)、東南大學(xué)在雙層二維半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)核心技術(shù)取得新突破

南京大學(xué)等突破雙層二維半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)核心技術(shù)

日本團(tuán)隊(duì)合作開(kāi)發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片

中科院蘇州納米所團(tuán)隊(duì)在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠(yuǎn)程外延機(jī)理研究獲新進(jìn)展

玻璃襯底上首次“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈條核心：外延技術(shù)

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