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西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展

北大團(tuán)隊(duì)新型器件技術(shù)加速GaN進(jìn)入工業(yè)與汽車應(yīng)用

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

廈大物理寬禁帶半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)在量子點(diǎn)電子態(tài)和自旋態(tài)操控領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

昆明理工大學(xué)在溶液法生長(zhǎng)高純3C-SiC晶體研究方面取得進(jìn)展

碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

廈大、華為合作，實(shí)現(xiàn)具有超低邊界熱阻的硅/多晶金剛石鍵合

量子半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)拓?fù)溱吥w效應(yīng)

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

唐為華教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)熱重排工程和能帶調(diào)制實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的 Ga?O? 日盲光敏性能

清溢光電：已實(shí)現(xiàn)180nm工藝節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體芯片掩膜版的量產(chǎn)

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺(jué)芯片研制取得新進(jìn)展

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì)：晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)取得突破

北大團(tuán)隊(duì)研發(fā)超低動(dòng)態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

中國(guó)科學(xué)家提出基于信號(hào)關(guān)聯(lián)的新量子傳感范式

首個(gè)由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體問(wèn)世?電子遷移率是硅的10倍

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

新進(jìn)展！西安交通大學(xué)實(shí)現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

上海光機(jī)所在高重頻高功率超快激光器研究取得進(jìn)展

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

廈門(mén)大學(xué)林楷強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體材料的激子研究方面取得新進(jìn)展

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

北京大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所黎大兵研究團(tuán)隊(duì)喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體研究所公開(kāi)一項(xiàng)集成光子芯片專利可提升光模塊性能

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