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港科技術(shù)（佛山）董國(guó)帥：峰值波長(zhǎng)為 222nm 的遠(yuǎn)紫外線KrCl準(zhǔn)分子燈的活化能和壽命研究

中科院半導(dǎo)體所張逸韻：基于MOCVD生長(zhǎng)的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測(cè)器研究

西安交通大學(xué)王艷豐：大面積單晶金剛石及場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究

鄭州大學(xué)劉玉懷：六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長(zhǎng)研究綜述

鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍(lán)寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

艾歐史密斯（中國(guó)）陳小波：紫外殺菌技術(shù)在凈水器中的應(yīng)用研究

哈爾濱工業(yè)大學(xué)趙麗麗：低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究

復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的研究

中科院微電子所侯峰澤：高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)

西安電子科技大學(xué)張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

中電科48所鞏小亮：SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展

IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

祝賀中科院半導(dǎo)體所鄭婉華、祝寧華兩位研究員當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士

中欣晶圓半導(dǎo)體材料研究院成立，以半導(dǎo)體硅材料技術(shù)工藝研發(fā)等為主方向

研究人員創(chuàng)造一種讓復(fù)雜半導(dǎo)體材料自行組裝的方法

印度開(kāi)展半導(dǎo)體材料工程研究

全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院院長(zhǎng)湯廣福院士將出席IFWS & SSLCHINA 2021并做大會(huì)報(bào)告

英特爾推出第二代神經(jīng)擬態(tài)研究芯片Loihi 2

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所關(guān)于舉辦第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用高級(jí)研修班的通知

中科院：“十四五”期間，各研究所新聘實(shí)驗(yàn)室主任、副主任，原則40歲以下人員不低于50%

聚焦集成電路領(lǐng)域！三大高校研究院落戶(hù)西永微電園

工信部標(biāo)準(zhǔn)化研究院與商湯科技共建AI算力及芯片評(píng)測(cè)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

【CASICON 2021】中電科十三所郭建超：金剛石微波功率器件研究

【CASICON 2021】西安交通大學(xué)李強(qiáng)：大面積hBN薄膜制備及電阻開(kāi)關(guān)特性研究

【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

【CASICON 2021】南砂晶圓彭燕：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

【CASICON 2021】南京大學(xué)葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

【CASICON 2021】南京大學(xué)陳鵬：低開(kāi)啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進(jìn)展

【CASICON 2021】電子科技大學(xué)鄧小川：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究

【CASICON 2021】中科院上海微系統(tǒng)研究所鄭理：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

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